Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Superjunction MOSFETs in PowerPAK® 10 x 12

Vishay / Siliconix Superjunction MOSFETs in PowerPAK^® 10 x 12 packaging feature power technology. These power MOSFETs optimize power efficiency, while the R_DS(on) minimizes power loss during conduction, ensuring efficient operation. These components are 100% Rg and UIS tested. Vishay / Siliconix Superjunction MOSFETs enhance power dissipation and lower thermal resistance (R_thJC). Typical applications include synchronous rectification, automation, and power supplies.

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Tecnología

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PWRPK 600V 24A N-CH MOSFET

SIHK105N60EF-T1GE3
Vishay
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SMD/SMT

PowerPAK 10 x 12

N-Channel

1 Channel

600 V

- 20 V, 20 V

5 V

- 55 C

+ 150 C

Enhancement

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) E Series Power MOSFET 650 V (D-S) 150 C MOSFET 0.1 10V

SIHK100N65E-T1-GE3
Vishay
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SMD/SMT

PowerPAK-10x12

N-Channel

1 Channel

650 V

28 A

100 mOhms

- 30 V, 30 V

5 V

41 nC

- 55 C

+ 150 C

184 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) E Series Power MOSFET 650 V (D-S) 150 C MOSFET 0.12 10V

SIHK125N65E-T1-GE3
Vishay
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SMD/SMT

PowerPAK-10x12

N-Channel

1 Channel

650 V

25 A

120 mOhms

- 30 V, 30 V

5 V

- 55 C

+ 150 C

174 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 600V

SIHK185N60EF-T1GE3
Vishay
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 600V

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SMD/SMT

PowerPAK-10 x12

N-Channel

1 Channel

650 V

16 A

168 mOhms

- 10 V, 10 V

5 V

32 nC

- 55 C

+ 150 C

Enhancement

PowerPAK

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 40-V (D-S) MOSFET

SIJK140E-T1-GE3
Vishay / Siliconix
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SMD/SMT

PowerPAK 10x12

N-Channel

1 Channel

40 V

795 A

470 uOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

312 nC

- 55 C

+ 175 C

536 W

Enhancement

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PWRPK 600V 19A E SERIES

SIHK185N60E-T1-GE3
Vishay
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SIHK185N60E-T1-GE3

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: 2,000

SMD/SMT

PowerPAK-10 x 12

1 Channel

650 V

19 A

160 mOhms

- 30 V, 30 V

5 V

33 nC

- 55 C

+ 150 C

114 W

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PowerPAK

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PWRPK 650V 45A N CHAN

SIHK050N65E-T1-GE3
Vishay
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SIHK050N65E-T1-GE3

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PowerPAK 10 x 12

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650 V

45 A

48 mOhms

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- 55 C

+ 150 C

278 W

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PowerPAK 8 x 8L

SQJB46ELP-T1_BE3
Vishay Semiconductors
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SMD/SMT

PowerPAK-SO-8L-6

N-Channel

2 Channel

40 V

30 A

8 mOhms

- 20 V, 20 V

2.2 V

40 nC

- 55 C

+ 175 C

34 W

Enhancement

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