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Cantidad RoHS Tipo de producto
Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) UMOSVIII 40V 4.3m max(VGS=10V) DPAK
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MOSFETs Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch MOS -40A -40V 68W 4140pF 0.0091
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MOSFETs Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) P-Channel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch MOS -20A -40V 41W 1850pF 0.0222
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MOSFETs Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) P-Channel
Toshiba Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) NPN VCEO 80V VCE 1.5 Ic 4A hFE 2000 min
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12,000Se espera el 17/07/2026
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BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT TO-252-3 NPN