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TLP5702H(D4,E

Name: Toshiba TLP5702H(D4,E
Brand: Toshiba
SKU: 757-TLP5702HD4E
Price: 2.08 USD
Availability: OutOfStock

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Mouser N.º:

757-TLP5702HD4E

Fabricante N.º:

TLP5702H(D4,E

Fabricante:

Toshiba

Descripción:

Controladores de puerta con aislamiento óptico GATE DRIVER COUPLER

Hoja de datos:

TLP5702H(D4,E Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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	$2.08	$2.08
	$1.48	$14.80
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 125)
	$1.09	$136.25
	$1.02	$255.00
	$0.94	$470.00
	$0.824	$824.00
	$0.796	$3,184.00
	$0.761	$6,088.00

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Toshiba
Categoría de producto:	Controladores de puerta con aislamiento óptico
RoHS:
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	SO-6
Número de canales:	1 Channel
Vf - Tensión directa:	1.55 V
Vr - Tensión inversa:	5 V
If - Corriente directa:	20 mA
Voltaje de aislamiento:	5000 Vrms
Temperatura de trabajo mínima:	- 40 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 125 C
Dp - Disipación de potencia :	40 mW
Tiempo de subida:	37 ns
Tiempo de caída:	50 ns
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	Toshiba
Tipo de producto:	Optically Isolated Gate Drivers
Cantidad de empaque de fábrica:	125
Subcategoría:	Optocouplers

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MXHTS:: 8542399999
CAHTS:: 8542390000
USHTS:: 8542390090
ECCN:: EAR99

TLP5702 GaAℓAs Photocouplers

Toshiba TLP5702 GaAℓAs Photocouplers come in a 6-pin SO6L package that consists of a GaAℓAs infrared light-emitting diode (LED) optically coupled to an integrated high-gain, high-speed photodetector IC. These devices provide guaranteed performance and specifications at temperatures of up to 110°C. The TLP5702 series is physically smaller and thinner than a photocoupler in an 8-pin DIP package and complies with international safety standards for reinforced insulation. Toshiba TLP5702 GaAlAs Photocouplers feature a smaller footprint solution for applications that require a safety standard certification. An internal noise shield delivers a guaranteed common-mode transient immunity of 20kV/μs. The TLP5702 series is ideal for use as a small to medium class IGBT or as a power MOSFET gate driver.