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NVBLS1D2N08XTXG

Name: onsemi NVBLS1D2N08XTXG
Brand: onsemi
SKU: 863-NVBLS1D2N08XTXG
Price: 7.37 USD
Availability: InStock

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Mouser N.º:

863-NVBLS1D2N08XTXG

Fabricante N.º:

NVBLS1D2N08XTXG

Fabricante:

onsemi

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T10 80V SG TOLL

Ciclo de vida:

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Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 2000)
	$4.16	$8,320.00
10,000	Presupuesto

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	onsemi
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	H-PSOF-8L
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	80 V
Id - Corriente de drenaje continua:	299 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	1.1 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	3.6 V
Qg - Carga de puerta:	121 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Dp - Disipación de potencia :	197 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	onsemi
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	12 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	294 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	23 ns
Cantidad de empaque de fábrica:	2000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	65 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	40 ns

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MXHTS:: 8541299900
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

NVBLS1D2N08X MOSFET

onsemi NVBLS1D2N08X MOSFET features a low Q_RR, R_DS(on), and Q_G to minimize driver and conduction loss. The MOSFET is AEC-Q101-qualified for automotive 48V system applications. The device operates with an 80V drain-to-source voltage and 299A continuous drain current. The onsemi NVBLS1D2N08X MOSFET is available in a H-PSOF8L package.