Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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TK16x60W Si N-Channel MOSFETs (DTMOSIV)

Toshiba TK16x60W Si N-Channel MOSFETs (DTMOSIV) exhibit the chip design of DTMOSIV generation and come in different variants. The Si N-channel MOSFETs feature low drain-source on-resistance and fast reverse recovery time. These MOSFETs can easily control gate switching. The TK16x60W MOSFETs are available in different dimensions and come in other packages, including DFN8x8, TO-247, TO-3P(N), D2PAK, TO-220, and TO-220SIS. These Toshiba TK16x60W Si N-Channel MOSFETs are used in switching voltage regulators.

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Resultados: 11

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Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

Empaquetado

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En conformidad con la RoHS

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPAK(OS) PD=130W F=1MHZ

TK16G60W5,RVQ
Toshiba
1: $5.38
991En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TK16G60W5,RVQ

N.º de artículo de Mouser
757-TK16G60W5RVQ

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPAK(OS) PD=130W F=1MHZ

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Hoja de datos

991En existencias

Cinta cortada

$5.38

$3.56

$2.86

Envase tipo carrete

$2.33

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

15.8 A

230 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

43 nC

- 55 C

+ 150 C

130 W

Enhancement

DTMOSIV

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR DTMOS DFN 8?8-OS PD=139W F=1MHZ

TK16V60W5,LVQ
Toshiba
1: $5.85
2,495En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TK16V60W5,LVQ

N.º de artículo de Mouser
757-TK16V60W5LVQ

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR DTMOS DFN 8?8-OS PD=139W F=1MHZ

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Hoja de datos

2,495En existencias

Cinta cortada

$5.85

$4.52

$3.24

$3.09

$2.81

Envase tipo carrete

$2.52

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

DFN8x8-5

N-Channel

1 Channel

600 V

15.8 A

245 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

43 nC

- 55 C

+ 150 C

139 W

Enhancement

DTMOSIV

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 15.8A 40W FET 600V 1350pF 43nC

TK16A60W5,S4VX
Toshiba
1: $4.62
156En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TK16A60W5,S4VX

N.º de artículo de Mouser
757-TK16A60W5S4VX

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 15.8A 40W FET 600V 1350pF 43nC

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Hoja de datos

156En existencias

$4.62

$2.34

$2.33

$1.69

$1.56

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220FP-3

N-Channel

1 Channel

600 V

15.8 A

190 mOhms

- 30 V, 30 V

4.5 V

43 nC

- 55 C

+ 150 C

40 W

Enhancement

DTMOSIV

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 15.8A 40W DTMOSIV 1350pF 38nC

TK16A60W,S4VX
Toshiba
1: $4.60
121En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TK16A60W,S4VX

N.º de artículo de Mouser
757-TK16A60WS4VX

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 15.8A 40W DTMOSIV 1350pF 38nC

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Hoja de datos

121En existencias

$4.60

$2.13

$1.99

$1.70

$1.55

Min.: 1
Mult.: 1

N-Channel

1 Channel

DTMOSIV

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO-3PN PD=130W 1MHz PWR MOSFET TRNS

TK16J60W,S1VE
Toshiba
1: $8.65
79En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TK16J60W,S1VE

N.º de artículo de Mouser
757-TK16J60WS1VE

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO-3PN PD=130W 1MHz PWR MOSFET TRNS

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Hoja de datos

79En existencias

$8.65

$5.14

$4.24

$3.67

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-3PN-3

N-Channel

1 Channel

600 V

15.8 A

190 mOhms

- 30 V, 30 V

3.7 V

38 nC

- 55 C

+ 150 C

130 W

Enhancement

DTMOSIV

Tray

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DTMOSIV 600V 190mOhm 15.8A 130W 1350pF

TK16N60W,S1VF
Toshiba
1: $7.45
19En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TK16N60W,S1VF

N.º de artículo de Mouser
757-TK16N60WS1VF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DTMOSIV 600V 190mOhm 15.8A 130W 1350pF

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Hoja de datos

19En existencias

$7.45

$4.19

$3.48

$3.04

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

600 V

15.8 A

160 mOhms

- 30 V, 30 V

3.7 V

38 nC

- 55 C

+ 150 C

130 W

Enhancement

DTMOSIV

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 15.8A 130W FET 600V 1350pF 38nC

TK16E60W,S1VX
Toshiba
1: $5.12
80Se espera el 15/06/2026

N.º de artículo del Fabricante
TK16E60W,S1VX

N.º de artículo de Mouser
757-TK16E60WS1VX

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 15.8A 130W FET 600V 1350pF 38nC

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Hoja de datos

80Se espera el 15/06/2026

$5.12

$2.68

$2.31

$1.99

$1.86

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

15.8 A

160 mOhms

- 30 V, 30 V

3.7 V

30 nC

- 55 C

+ 150 C

130 W

Enhancement

DTMOSIV

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DTMOSIV 600V 190mOhm 15.8A 130W 1350pF

TK16G60W,RVQ
Toshiba
1,000: $4.42
Plazo de entrega no en existencias 18 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
TK16G60W,RVQ

N.º de artículo de Mouser
757-TK16G60WRVQ

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DTMOSIV 600V 190mOhm 15.8A 130W 1350pF

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Plazo de entrega no en existencias 18 Semanas

Envase tipo carrete

$4.42

Min.: 1,000
Mult.: 1,000

Carrete: 1,000

Through Hole

TO-262-3

N-Channel

1 Channel

600 V

15.8 A

190 mOhms

- 30 V, 30 V

3.7 V

38 nC

- 55 C

+ 150 C

130 W

Enhancement

DTMOSIV

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO-3PN(OS) PD=130W 1MHz PWR MOSFET TRNS

TK16J60W5,S1VQ
Toshiba
1: $7.57
Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
TK16J60W5,S1VQ

N.º de artículo de Mouser
757-TK16J60W5S1VQ

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO-3PN(OS) PD=130W 1MHz PWR MOSFET TRNS

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Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas

$7.57

$4.41

$3.60

$3.04

$3.03

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-3PN-3

N-Channel

1 Channel

600 V

15.8 A

230 mOhms

- 30 V, 30 V

4.5 V

43 nC

- 55 C

+ 150 C

130 W

Enhancement

DTMOSIV

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 15.8A 130W FET 600V 1350pF 38nC

TK16J60W,S1VQ
Toshiba
1: $6.21
No en existencias

N.º de artículo del Fabricante
TK16J60W,S1VQ

N.º de artículo de Mouser
757-TK16J60WS1VQ

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 15.8A 130W FET 600V 1350pF 38nC

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Hoja de datos

No en existencias

$6.21

$4.98

$4.02

$3.56

$3.06

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-3PN-3

N-Channel

1 Channel

600 V

15.8 A

160 mOhms

- 30 V, 30 V

3.7 V

38 nC

- 55 C

+ 150 C

130 W

Enhancement

DTMOSIV

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch DTMOSIV 600 V 139W 1350pF 15.8A

TK16V60W,LVQ
Toshiba
2,500: $2.29
Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
TK16V60W,LVQ

N.º de artículo de Mouser
757-TK16V60WLVQ

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch DTMOSIV 600 V 139W 1350pF 15.8A

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Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas

Envase tipo carrete

$2.29

Min.: 2,500
Mult.: 2,500

Carrete: 2,500

SMD/SMT

DFN8x8-5

N-Channel

1 Channel

600 V

15.8 A

190 mOhms

139 W

DTMOSIV

Reel

TK16x60W Si N-Channel MOSFETs (DTMOSIV)

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