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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Calificación
Nombre comercial
Empaquetado

Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 20Vds 8Vgs AEC-Q101 Qualified
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314,003En existencias
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Si SMD/SMT SOT-363-6 N-Channel 2 Channel 20 V 850 mA 150 mOhms, 500 mOhms - 8 V, 8 V 450 mV, 1.5 V 930 pC, 1 nC - 55 C + 175 C 1.5 W Enhancement AEC-Q101 TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N and P Channel 40V AEC-Q101 Qualified
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61,448En existencias
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Si SMD/SMT PowerPAK-SO-8-4 N-Channel, P-Channel 2 Channel 40 V 30 A 7.7 mOhms, 22 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 38.3 nC, 45 nC - 55 C + 175 C 48 W Enhancement AEC-Q101 TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel

Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 30Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified
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145,613En existencias
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Si SMD/SMT SOT-363-6 N-Channel, P-Channel 2 Channel 30 V 850 mA 210 mOhms, 788 mOhms - 20 V, 20 V 1 V, 2.6 V 1.4 nC, 1.6 nC - 55 C + 175 C 1.5 W Enhancement AEC-Q101 TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch P Ch 100/-100V AEC-Q101 Qualified
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39,646En existencias
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Si SMD/SMT PowerPAK-SO-8-4 N-Channel, P-Channel 2 Channel 100 V 15 A, 9.5 A 45 mOhms, 146 mOhms - 20 V, 20 V 1.5 V 9 nC, 12 nC - 55 C + 175 C 27 W, 27 W Enhancement AEC-Q101 TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 20Vds 12Vgs AEC-Q101 Qualified
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8,406En existencias
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Si SMD/SMT TSOP-6 N-Channel, P-Channel 2 Channel 20 V 3.57 A, 2.5 A 49 mOhms, 140 mOhms - 12 V, 12 V 600 mV, 1.5 V 2.5 nC, 3.5 nC - 55 C + 175 C 1.67 W Enhancement AEC-Q101 TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40/-40V Vds; SO-8L +/-20V Vgs
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3,860En existencias
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Si SMD/SMT PowerPAK-SO-8-4 N-Channel, P-Channel 2 Channel 40 V 30 A 7.5 mOhms, 17 mOhms - 20 V, 20 V 1.5 V, 2.5 V 30 nC, 85 nC - 55 C + 175 C 34 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel

Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 30Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified
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17,127En existencias
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Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel, P-Channel 2 Channel 30 V 7.3 A, 5.3 A 21 mOhms, 56 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 5.9 nC, 7.9 nC - 55 C + 175 C 3.3 W Enhancement AEC-Q101 TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel