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KTA1140EUAQ-TB

Name: Kinetic Technologies KTA1140EUAQ-TB
Brand: Kinetic Technologies
SKU: 389-KTA1140EUAQ-TB
Price: 3.16 USD
Availability: InStock

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Mouser N.º:

389-KTA1140EUAQ-TB

Fabricante N.º:

KTA1140EUAQ-TB

Fabricante:

Kinetic Technologies

Descripción:

Circuitos integrados de interruptor de alimentación - POE / LAN IEEE 802.3bt-Compliant, Powered Device Interface Controller

Hoja de datos:

KTA1140EUAQ-TB Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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	$1.87	$935.00
	$1.35	$1,350.00
	$1.33	$3,325.00

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Kinetic Technologies
Categoría de producto:	Circuitos integrados de interruptor de alimentación - POE / LAN
RoHS:
Tipo:	Powered Device - PD
Estándar:	802.3af, 802.3at, 802.3bt
Límite de corriente:	2.3 A
Resistencia en modo encendido - Máx.:	200 mOhms
Voltaje de alimentación operativo:	48 V
Temperatura de trabajo mínima:	- 40 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 125 C
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	WQFN55-20
Empaquetado:	Reel
Marca:	Kinetic Technologies
Sensibles a la humedad:	Yes
Número de canales:	1 Channel
Corriente de suministro operativa:	2.7 A
Tipo de producto:	Power Switch ICs - POE / LAN
Serie:	KTA1140
Subcategoría:	Switch ICs

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Hoja de datos

KTA1140EUAQ-TB Hoja de datos (PDF)

CAHTS:: 8542310000
USHTS:: 8542310030
ECCN:: EAR99

KTA1140 IEEE 802.3bt Power Switch IC

Kinetic Technologies KTA1140 IEEE 802.3bt Power Switch IC features a single-chip, highly integrated CMOS solution for Power over Ethernet (PoE) Powered Devices (PD) with 90W input power. This KTA1140 IC is designed to provide safe, low-impedance discharge paths directly to the earth's ground, resulting in superior reliability and circuit protection. The power switch implements the physical layer-powered device functionality, as required by IEEE^® 802.3af-2003, IEEE^® 802.3at-2009, and IEEE^® 802.3bt-2018 standards. This functionality includes classification, Type 1-2 or 3-4 PSE detection indicators (PST1/2 and PSDBT), PD detection, Under-Voltage Lockout (UVLO), and Hot-Swap FET integration.