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BUK6Q21-30PJ

Name: Nexperia BUK6Q21-30PJ
Brand: Nexperia
SKU: 771-BUK6Q21-30PJ
Price: 2.25 USD
Availability: InStock

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Mouser N.º:

771-BUK6Q21-30PJ

Fabricante N.º:

BUK6Q21-30PJ

Fabricante:

Nexperia

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK6Q21-30P/SOT8002/ MLPAK33

Ciclo de vida:

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Hoja de datos:

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	$0.614	$614.00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)
	$0.614	$1,842.00

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Nexperia
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	MLPAK33-8
Polaridad del transistor:	P-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	30 V
Id - Corriente de drenaje continua:	41 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	21.5 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	2.7 V
Qg - Carga de puerta:	23 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Dp - Disipación de potencia :	56 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	Nexperia
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	154 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	18 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	8 ns
Cantidad de empaque de fábrica:	3000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 P-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	37 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	3 ns
Alias de las piezas n.º:	934670273118

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Códigos de cumplimiento

MXHTS:: 8541299900
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

Clasificaciones de origen

País de origen:: China
País de origen del ensamblaje:: No disponible
País de difusión:: No disponible

El país está sujeto a cambios en el momento del envío.

BUK6Q21-30PJ MOSFET

Nexperia BUK6Q21-30PJ MOSFET is an automotive, 30V P-channel enhancement mode FET in an MLPAK33 (SOT8002-3) SMD plastic package using Trench MOSFET technology. This MOSFET offers logic-level compatibility and features side-wettable flanks for optical solder inspection. The BUK6Q21-30PJ MOSFET operates in negative mode during regular operation, with drain-source voltage (V_DS). The maximum voltage that can be safely applied between the drain and source terminals is 30V. This MOSFET is offered in a thermally efficient package in a small form factor (3.3mm x 3.3mm footprint). The BUK6Q12-40PJ MOSFET is AEC-Q101 qualified and is suitable for automotive applications. This MOSFET is ideal for reverse polarity protection, high-speed line drivers, high-side load switches, and relay drivers.