Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Paquete / Cubierta

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Dp - Disipación de potencia

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPD50R950CEAUMA1
Infineon Technologies
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IPD50R950CEAUMA1

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726-IPD50R950CEAUMA1

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Enhancement

CoolMOS

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IPD50R280CEAUMA1
Infineon Technologies
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SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

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119 W

Enhancement

CoolMOS

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IPD50R380CEAUMA1
Infineon Technologies
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Enhancement

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IPN50R2K0CEATMA1
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IPA50R190CEXKSA2
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IPA50R800CEXKSA2
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26.4 W

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IPN50R1K4CEATMA1

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726-IPN50R1K4CEATMA1

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IPA50R500CEXKSA2
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Enhancement

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Tube

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IPA50R380CE
Infineon Technologies
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IPA50R380CE

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726-IPA50R380CE

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Tube

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IPA50R380CEXKSA2
Infineon Technologies
1: $2.30
1,635En existencias

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IPA50R380CEXKSA2

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726-IPA50R380CEXKSA2

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1 Channel

500 V

14.1 A

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- 20 V, 20 V

2.5 V

24.8 nC

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+ 150 C

29.2 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPA50R950CEXKSA2
Infineon Technologies
1: $1.65
998En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPA50R950CEXKSA2

N.º de artículo de Mouser
726-IPA50R950CEXKSA2

Infineon Technologies

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$1.65

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CoolMOS

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IPD50R2K0CEAUMA1
Infineon Technologies
1: $1.04
328En existencias
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IPD50R2K0CEAUMA1

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726-IPD50R2K0CEAUMA1

NRND

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328En existencias

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SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

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500 V

3.6 A

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- 20 V, 20 V

3 V

6 nC

- 55 C

+ 150 C

33 W

Enhancement

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPD50R3K0CEAUMA1
Infineon Technologies
1: $0.936
1,073En existencias
Fin de vida útil

N.º de artículo del Fabricante
IPD50R3K0CEAUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD50R3K0CEAUMA1

Fin de vida útil

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

Hoja de datos

1,073En existencias

Cinta cortada

$0.936

$0.615

$0.397

$0.302

Envase tipo carrete

$0.237

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: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

500 V

2.6 A

3 Ohms

- 20 V, 20 V

3 V

4.3 nC

- 55 C

+ 150 C

26 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPA50R280CEXKSA2
Infineon Technologies
1: $2.35
4,000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
IPA50R280CEXKSA2

N.º de artículo de Mouser
726-IPA50R280CEXKSA2

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

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Hoja de datos

4,000En pedido

$2.35

$1.12

$1.00

$0.788

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Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

500 V

18.1 A

280 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

32.6 nC

- 40 C

+ 150 C

30.4 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPD50R500CEAUMA1
Infineon Technologies
1: $1.81
27,180En pedido
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPD50R500CEAUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD50R500CEAUMA1

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

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27,180En pedido

Cinta cortada

$1.81

$1.09

$0.754

$0.588

Envase tipo carrete

$0.476

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

500 V

7.6 A

500 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

18.7 nC

- 55 C

+ 150 C

57 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500V 18.5A TO220-3

IPP50R190CE
Infineon Technologies
1: $3.39
500Se espera el 11/06/2026

N.º de artículo del Fabricante
IPP50R190CE

N.º de artículo de Mouser
726-IPP50R190CE

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500V 18.5A TO220-3

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500Se espera el 11/06/2026

$3.39

$2.18

$1.56

$1.30

$1.13

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Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

500 V

24.8 A

190 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

47.2 nC

- 55 C

+ 150 C

152 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500V 18.5A TO220-3

IPP50R190CEXKSA1
Infineon Technologies
1: $3.63
995Se espera el 11/06/2026

N.º de artículo del Fabricante
IPP50R190CEXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP50R190CEXKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500V 18.5A TO220-3

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995Se espera el 11/06/2026

$3.63

$1.79

$1.59

$1.29

$1.13

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

500 V

24.8 A

170 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

47.2 nC

- 55 C

+ 150 C

152 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

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