DI009N10PQ-AQ

Diotec Semiconductor
637-DI009N10PQ-AQ
DI009N10PQ-AQ

Fabricante:

Descripción:
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET, PowerQFN 5x6, N, 100V, 9A, 115m, 175C AEC-Q101

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Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
Diotec Semiconductor
Categoría de producto: Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
Reel
Cut Tape
Marca: Diotec Semiconductor
Sensibles a la humedad: Yes
Tipo de producto: MOSFETs
Cantidad de empaque de fábrica: 5000
Subcategoría: Transistors
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Códigos de cumplimiento
MXHTS:
8541299900
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
ECCN:
EAR99
Clasificaciones de origen
País de origen:
China
País de origen del ensamblaje:
No disponible
País de difusión:
No disponible
El país está sujeto a cambios en el momento del envío.

DI009N10PQ N-Channel Power MOSFET

Diotec Semiconductor DI009N10PQ N-Channel Power MOSFET supports a drain‑source voltage of 100V and delivers 9A continuous drain current at 25°C. This MOSFET features a low total gate charge of 19nC (at 10V) and fast switching characteristics, including an 11ns turn‑on delay and 10ns turn‑off delay. The DI009N10PQ MOSFET offers 20A peak drain current and 3.6mJ single-pulse avalanche-rated energy. This diode is housed in a PowerQFN 5x6 package and is AEC‑Q101 qualified. Typical applications include DC/DC converters, power supplies, DC drives, power tools, and synchronous rectifiers.