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NTMT045N065SC1

Name: onsemi NTMT045N065SC1
Brand: onsemi
SKU: 863-NTMT045N065SC1
Price: 15.6 USD
Availability: InStock

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Mouser N.º:

863-NTMT045N065SC1

Fabricante N.º:

NTMT045N065SC1

Fabricante:

onsemi

Descripción:

MOSFETs de SiC SIC MOS PQFN88 650V

Hoja de datos:

NTMT045N065SC1 Hoja de datos

Modelo ECAD:

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	$8.03	$24,090.00

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	onsemi
Categoría de producto:	MOSFETs de SiC
RoHS:
REACH - SVHC:
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	TDFN-4
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	650 V
Id - Corriente de drenaje continua:	55 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	50 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 8 V, + 22 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	4.3 V
Qg - Carga de puerta:	105 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Dp - Disipación de potencia :	187 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	EliteSiC
Marca:	onsemi
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	7 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	16 S
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Tipo de producto:	SiC MOSFETS
Tiempo de subida:	14 ns
Serie:	NTMT045N065SC1
Cantidad de empaque de fábrica:	3000
Subcategoría:	Transistors
Tecnología:	SiC
Tiempo de retardo de apagado típico:	26 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	13 ns

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Hoja de datos

NTMT045N065SC1 Hoja de datos

Material Composition Disclosure

MXHTS:: 8541299900
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

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