Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 120A D2PAK-2 OptiMOS 3
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Si
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 63A TDSON-8 OptiMOS 3
223 En existencias
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5,000 Se espera el 07/01/2027
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 23A TDSON-8 OptiMOS 3
26,545 En existencias
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Detalles
Si
SMD/SMT
TDSON-8
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30,000 En pedido
N.º de artículo de Mouser
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 150V 21A TDSON-8 OptiMOS 3
5,005 En existencias
30,000 En pedido
Ver fechas
Existencias:
5,005 Se puede enviar inmediatamente
En pedido:
15,000 Se espera el 23/07/2026
15,000 Se espera el 17/09/2026
Plazo de entrega de fábrica:
52 Semanas
1
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Detalles
Si
SMD/SMT
TDSON-8
N-Channel
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21 A
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OptiMOS
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Infineon Technologies
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N.º de artículo de Mouser
726-BSZ900N15NS3G
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 150V 13A TSDSON-8 OptiMOS 3
712 En existencias
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Detalles
Si
SMD/SMT
TSDSON-8
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 90A TDSON-8 OptiMOS 3
BSC060N10NS3 G
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1:
$3.78
4,337 En existencias
NRND
N.º de artículo de Mouser
726-BSC060N10NS3G
NRND
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 90A TDSON-8 OptiMOS 3
4,337 En existencias
Embalaje alternativo
1
$3.78
10
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Si
SMD/SMT
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+ 150 C
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OptiMOS
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 23A TSDSON-8 OptiMOS 3
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Infineon Technologies
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N.º de artículo de Mouser
726-BSZ340N08NS3G
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 23A TSDSON-8 OptiMOS 3
916 En existencias
Embalaje alternativo
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Si
SMD/SMT
TSDSON-8
N-Channel
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BSC360N15NS3 G
Infineon Technologies
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4,905 Se espera el 09/07/2026
N.º de artículo de Mouser
726-BSC360N15NS3G
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 150V 33A TDSON-8 OptiMOS 3
4,905 Se espera el 09/07/2026
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Comprar
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Mult.: 1
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Si
SMD/SMT
TDSON-8
N-Channel
1 Channel
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OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
BSC057N08NS3 G
Infineon Technologies
1:
$3.63
596 Se espera el 18/02/2027
N.º de artículo de Mouser
726-BSC057N08NS3G
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
596 Se espera el 18/02/2027
Embalaje alternativo
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Si
SMD/SMT
TDSON-8
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2 V
56 nC
- 55 C
+ 150 C
114 W
Enhancement
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 150V 50A TDSON-8 OptiMOS 3
BSC190N15NS3 G
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TDSON-8
N-Channel
1 Channel
150 V
50 A
16 mOhms
- 20 V, 20 V
2 V
31 nC
- 55 C
+ 150 C
125 W
Enhancement
OptiMOS
Reel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3
BSZ123N08NS3 G
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Detalles
Si
SMD/SMT
TSDSON-8
N-Channel
1 Channel
80 V
40 A
10.3 mOhms
- 20 V, 20 V
2 V
25 nC
- 55 C
+ 150 C
66 W
Enhancement
OptiMOS
Reel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3
BSZ160N10NS3 G
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Detalles
Si
SMD/SMT
TSDSON-8
N-Channel
1 Channel
100 V
40 A
14 mOhms
- 20 V, 20 V
2 V
25 nC
- 55 C
+ 150 C
63 W
Enhancement
OptiMOS
Reel