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NVXK2TR80WDT

Name: onsemi NVXK2TR80WDT
Brand: onsemi
SKU: 863-NVXK2TR80WDT
Price: 63.95 USD
Availability: InStock

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Mouser N.º:

863-NVXK2TR80WDT

Fabricante N.º:

NVXK2TR80WDT

Fabricante:

onsemi

Descripción:

Módulos MOSFET APM32 SIC H-BRIDGE POWER MODULE

Ciclo de vida:

Nuevo en Mouser

Hoja de datos:

NVXK2TR80WDT Hoja de datos

Modelo ECAD:

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	$63.95	$63.95
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.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	onsemi
Categoría de producto:	Módulos MOSFET
RoHS:
Tecnología:	SiC
Estilo de montaje:	Through Hole
Paquete / Cubierta:	APM-32
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	4 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	1.2 kV
Id - Corriente de drenaje continua:	20 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	116 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 15 V, + 25 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	4.3 V
Temperatura de trabajo mínima:	- 40 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Dp - Disipación de potencia :	82 W
Serie:	NVXK2TR80WDT
Empaquetado:	Tube
Marca:	onsemi
Configuración:	Dual Half-Bridge
Tiempo de caída:	9 ns
Altura:	5.8 mm
Longitud:	44.2 mm
Tipo de producto:	MOSFET Modules
Tiempo de subida:	12 ns
Cantidad de empaque de fábrica:	60
Subcategoría:	Discrete and Power Modules
Nombre comercial:	EliteSiC
Tipo:	Half-Bridge
Tiempo típico de demora de encendido:	12 ns
Ancho:	29 mm

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Hoja de datos

NVXK2TR80WDT Hoja de datos

Material Composition Disclosure

Códigos de cumplimiento

MXHTS:: 8541299900
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

Clasificaciones de origen

País de origen:: China
País de origen del ensamblaje:: China
País de difusión:: República de Corea

El país está sujeto a cambios en el momento del envío.

NVXK2TR80WDT Silicon Carbide (SiC) Module

onsemi NVXK2TR80WDT Silicon Carbide (SiC) Module is a 1200V, 80mΩ, and 20A dual half-bridge EliteSiC power module housed in a APM32 Dual Inline Package (DIP). This SiC module is compactly designed to have a low total module resistance. The NVXK2TR80WDT power module is automotive-qualified per AEC-Q101 and AQG324. This power module is lead-free, ROHS, and UL94V-0 compliant. The NVXK2TR80WDT EliteSiC MOSFET module is ideally used in HV DC-DC and onboard chargers in xEV applications.