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NXH600B100H4Q2F2S1G

Name: onsemi NXH600B100H4Q2F2S1G
Brand: onsemi
SKU: 863-600B100H4Q2F2S1G
Price: 253.7 USD
Availability: InStock

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Mouser N.º:

863-600B100H4Q2F2S1G

Fabricante N.º:

NXH600B100H4Q2F2S1G

Fabricante:

onsemi

Descripción:

Módulos IGBT FLYING CAP 3CHANNEL Q2BOOST WITH IN-HOUSE DIE

Hoja de datos:

NXH600B100H4Q2F2S1G Hoja de datos

Modelo ECAD:

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	onsemi
Categoría de producto:	Módulos IGBT
Producto:	Si/SiC Hybrid Modules
Configuración:	Triple
Máx. voltaje VCEO colector-emisor:	1 kV
Voltaje de saturación colector-emisor:	1.88 V
Colector de Corriente Continua a 25 C:	173 A
Corriente de fuga puerta-emisor:	350 nA
Dp - Disipación de potencia :	422 W
Paquete / Cubierta:	PIM-56
Temperatura de trabajo mínima:	- 40 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Empaquetado:	Tray
Marca:	onsemi
Máximo voltaje puerta-emisor:	20 V
Estilo de montaje:	Screw Mount
Tipo de producto:	IGBT Modules
Serie:	NXH600B100H4Q2F2S1G
Cantidad de empaque de fábrica:	36
Subcategoría:	IGBTs
Tecnología:	SiC, Si
Nombre comercial:	EliteSiC

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Hoja de datos

NXH600B100H4Q2F2S1G Hoja de datos

PCN

Material Composition Disclosure

USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

NXH600B100H4Q2F2S1G Si/SiC Hybrid Module

onsemi NXH600B100H4Q2F2S1G Si/SiC Hybrid Module is a three-channel flying capacitor boost module. Each channel contains two 1000V, 200A IGBTs, and two 1200V, 60A SiC diodes. The module also contains an NTC thermistor. Applications include solar inverters and uninterruptible power supply systems.