Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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ASFETs for Hotswap & Soft Start

Nexperia ASFETs for Hotswap and Soft Start offer strong SOA and low R_DS(on) capabilities in a single device optimized for a non-stop world. Nexperia ASFETs protect always-on rack-based computers, communications, and storage systems from power disruption and component failure. When inserted into a live system, these components on replacement boards depend on a carefully controlled in-rush current.

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Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

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Qg - Carga de puerta

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PSMNR56-25YLE/SOT1023/4 LEADS

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SMD/SMT

LFPAK-56E-4

N-Channel

1 Channel

25 V

320 A

630 uOhms

- 20 V, 20 V

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89 nC

- 55 C

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333 W

Enhancement

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PSMNR98-25YLE/SOT669/LFPAK

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SOT-669-5

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SMD/SMT

SOT-669-5

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30 V

160 A

2.2 mOhms

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2.2 V

28 nC

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124 W

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PSMN1R1-30YLEX
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Mult.: 1

: 1,500

SMD/SMT

SOT-669-5

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1 Channel

30 V

265 A

1.3 mOhms

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2.2 V

46 nC

- 55 C

+ 175 C

192 W

Enhancement

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PSMNR82-30YLEX
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SMD/SMT

Power SO-8

N-Channel

1 Channel

30 V

330 A

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41 nC

- 55 C

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268 W

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PSMNR89-25YLE/SOT669/LFPAK

PSMNR89-25YLEX
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270 A

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