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BSR316PH6327XTSA1

Name: Infineon BSR316PH6327XTSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-BSR316PH6327XTSA
Price: 1.18 USD
Availability: OutOfStock

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Mouser N.º:

726-BSR316PH6327XTSA

Fabricante N.º:

BSR316PH6327XTSA1

Fabricante:

Infineon Technologies

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMALL SIGNAL+P-CH

Hoja de datos:

BSR316PH6327XTSA1 Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Infineon
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	SC-59-3
Polaridad del transistor:	P-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	100 V
Id - Corriente de drenaje continua:	360 mA
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	1.8 Ohms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	2 V
Qg - Carga de puerta:	5.3 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	500 mW
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	Infineon Technologies
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	26 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	300 mS
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	6 ns
Cantidad de empaque de fábrica:	3000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 P-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	71 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	5 ns
Alias de las piezas n.º:	BSR316P H6327 SP001101034
Peso de la unidad:	8 mg

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Infineon's Latest Power and Sensing Guide (PDF)

SPICE Models

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Códigos de cumplimiento

MXHTS:: 8541210100
CNHTS:: 8541210000
CAHTS:: 8541210000
USHTS:: 8541210095
JPHTS:: 854121000
KRHTS:: 8541219000
TARIC:: 8541210000
ECCN:: EAR99

Clasificaciones de origen

País de origen:: Malasia
País de origen del ensamblaje:: Malasia
País de difusión:: Austria

El país está sujeto a cambios en el momento del envío.

BSR316P Small Signal Transistor

Infineon BSR316P Small Signal Transistor is a 20V to 250V P-channel power MOSFET. This transistor consistently meets the quality and performance requirements of power system design. The BSR316P is lead-free, AEC Q101 qualified, and features maximum 1.8Ω R_DS(on). These transistors are avalanche-rated and halogen-free. They include enhancement mode and footprint compatibility to SOT23. Applications include automotive, consumer, DC-DC, motor control, notebook, onboard charger, and eMobility.

PRODUCTOS DESTACADOS

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OptiMOS™ 7 100V Automotive Power MOSFETs

Advanced N‑channel devices engineered for high-efficiency power switching.

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OptiMOS™ 6 60V Power MOSFETs

Delivers superior performance to OptiMOS 5 via robust power MOSFET technology.

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N-Channel OptiMOS™ 7 25V Power MOSFETs

Application-optimized performance, enabling peak performance for data centers, servers, & AI.

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OptiMOS™ 8 Power MOSFETs

These are N-channel, normal level 80V or 100V MOSFETs with very low on-resistance [R_DS(ON)].

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N-Channel OptiMOS™ 7 80V Power MOSFETs

80V, N-channel, normal level devices with superior thermal resistance in a PG‑TDSON‑8 package.

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Disponibilidad

Existencias:: 0

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En pedido:: 101,988

Se espera el 25/03/2027

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A determinar
Plazo de entrega de fábrica:: 21

Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica para cantidades superiores a las que se muestran.

Introducir cantidad:

Mínimo: 1 Múltiples: 1

Precio unitario:

$-.--

Precio ext.:

$-.--

Est. Tarifa:

Empaque:

Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)

Cinta cortada

MouseReel™ (+$7.00)

Precio (USD)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ ^†
	$1.18	$1.18
	$0.537	$5.37
	$0.473	$47.30
	$0.361	$180.50
	$0.35	$350.00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)
	$0.261	$783.00
	$0.248	$1,488.00
	$0.226	$2,034.00
	$0.221	$5,304.00

† $7.00 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver. ↩

BSR316PH6327XTSA1

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Fabricante: Infineon Technologies

Descripción: Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMALL SIGNAL+P-CH

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