Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 8.6A TO220FP-3
IPA60R230P6XKSA1
Infineon Technologies
1:
$3.51
75 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPA60R230P6XKSA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 8.6A TO220FP-3
75 En existencias
1
$3.51
10
$1.65
100
$1.56
500
$1.19
1,000
Ver
1,000
$1.08
5,000
$1.07
25,000
Presupuesto
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
600 V
16.8 A
538 mOhms
- 20 V, 20 V
4 V
31 nC
- 55 C
+ 150 C
33 W
Enhancement
CoolMOS
Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 7.7A TO220FP-3
IPA60R280P6XKSA1
Infineon Technologies
1:
$3.20
836 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPA60R280P6XKSA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 7.7A TO220FP-3
836 En existencias
Embalaje alternativo
1
$3.20
10
$1.57
100
$1.42
500
$1.13
1,000
Ver
1,000
$0.967
5,000
$0.946
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
600 V
13.8 A
252 mOhms
- 20 V, 20 V
3.5 V
25.5 nC
- 55 C
+ 150 C
32 W
Enhancement
CoolMOS
Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
IPAN70R360P7SXKSA1
Infineon Technologies
1:
$2.33
1,699 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPAN70R360P7SXKS
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
1,699 En existencias
1
$2.33
10
$1.23
100
$1.00
500
$0.815
1,000
Ver
1,000
$0.593
2,500
$0.589
5,000
$0.551
10,000
$0.549
25,000
$0.537
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
700 V
12.5 A
300 mOhms
- 30 V, 30 V
2.5 V
16.4 nC
- 40 C
+ 150 C
26.5 W
Enhancement
CoolMOS
Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
IPD60R360P7SAUMA1
Infineon Technologies
1:
$1.63
3,012 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPD60R360P7SAUMA
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
3,012 En existencias
1
$1.63
10
$1.02
100
$0.673
500
$0.524
2,500
$0.41
5,000
Ver
1,000
$0.476
5,000
$0.363
10,000
$0.355
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
N-Channel
1 Channel
600 V
9 A
300 mOhms
- 20 V, 20 V
3 V
13 nC
- 40 C
+ 150 C
41 W
Enhancement
CoolMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
IPD60R600P7SAUMA1
Infineon Technologies
1:
$1.37
95 En existencias
7,500 Se espera el 02/03/2026
N.º de artículo de Mouser
726-IPD60R600P7SAUMA
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
95 En existencias
7,500 Se espera el 02/03/2026
1
$1.37
10
$0.857
100
$0.569
500
$0.437
1,000
$0.40
2,500
$0.316
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
N-Channel
1 Channel
600 V
6 A
600 mOhms
- 20 V, 20 V
3.5 V
9 nC
- 40 C
+ 150 C
30 W
Enhancement
CoolMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
IPN60R600P7SATMA1
Infineon Technologies
1:
$1.37
4,741 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPN60R600P7SATMA
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
4,741 En existencias
1
$1.37
10
$0.852
100
$0.555
500
$0.426
3,000
$0.351
6,000
Ver
1,000
$0.386
6,000
$0.313
9,000
$0.29
24,000
$0.281
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
SMD/SMT
SOT-223-3
N-Channel
1 Channel
600 V
6 A
490 mOhms
- 20 V, 20 V
3 V
9 nC
- 40 C
+ 150 C
7 W
Enhancement
CoolMOS
Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
IPN70R600P7SATMA1
Infineon Technologies
1:
$1.43
3,298 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPN70R600P7SATMA
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
3,298 En existencias
1
$1.43
10
$0.897
100
$0.588
500
$0.454
3,000
$0.374
6,000
Ver
1,000
$0.411
6,000
$0.335
9,000
$0.312
24,000
$0.308
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
SMD/SMT
SOT-223-3
N-Channel
1 Channel
700 V
8.5 A
490 mOhms
- 16 V, 16 V
2.5 V
10.5 nC
- 40 C
+ 150 C
6.9 W
Enhancement
CoolMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_LEGACY
IPD90R1K2C3ATMA2
Infineon Technologies
1:
$2.85
584 En existencias
NRND
N.º de artículo de Mouser
726-IPD90R1K2C3ATMA2
NRND
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_LEGACY
584 En existencias
1
$2.85
10
$1.82
100
$1.26
500
$1.07
2,500
$0.826
5,000
Ver
1,000
$0.894
5,000
$0.781
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
N-Channel
1 Channel
900 V
5.1 A
1.2 Ohms
- 20 V, 20 V
3 V
28 nC
- 55 C
+ 150 C
83 W
Enhancement
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 20.7A TO247-3 CoolMOS C3
+1 imagen
SPW20N60C3
Infineon Technologies
1:
$6.41
27 En existencias
1,200 Se espera el 05/03/2026
NRND
N.º de artículo de Mouser
726-SPW20N60C3
NRND
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 20.7A TO247-3 CoolMOS C3
27 En existencias
1,200 Se espera el 05/03/2026
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
Through Hole
TO-247-3
N-Channel
1 Channel
600 V
20.7 A
190 mOhms
- 20 V, 20 V
2.1 V
87 nC
- 55 C
+ 150 C
208 W
Enhancement
CoolMOS
Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_LEGACY
IPA60R190P6XKSA1
Infineon Technologies
500:
$1.33
Plazo de entrega no en existencias 12 Semanas
N.º de artículo de Mouser
726-IPA60R190P6XKSA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_LEGACY
Plazo de entrega no en existencias 12 Semanas
Comprar
Min.: 500
Mult.: 500
Detalles
Si
Through Hole
TO-220FP-3
N-Channel
1 Channel
CoolMOS
Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V TO-220FP-3
IPA65R650CEXKSA1
Infineon Technologies
1:
$2.11
Plazo de entrega no en existencias 8 Semanas
NRND
N.º de artículo de Mouser
726-IPA65R650CEXKSA1
NRND
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V TO-220FP-3
Plazo de entrega no en existencias 8 Semanas
1
$2.11
10
$0.909
100
$0.823
500
$0.67
1,000
Ver
1,000
$0.555
2,500
$0.554
5,000
$0.536
10,000
$0.532
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
650 V
10.1 A
650 mOhms
- 20 V, 20 V
3 V
23 nC
- 40 C
+ 150 C
28 W
Enhancement
CoolMOS
Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_LEGACY
IPP90R1K2C3XKSA2
Infineon Technologies
1:
$2.56
Plazo de entrega no en existencias 8 Semanas
NRND
N.º de artículo de Mouser
726-IPP90R1K2C3XKSA2
NRND
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_LEGACY
Plazo de entrega no en existencias 8 Semanas
1
$2.56
10
$1.83
100
$1.48
500
$1.06
1,000
Ver
1,000
$1.00
2,500
$0.995
5,000
$0.987
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
900 V
5.1 A
1.2 Ohms
- 20 V, 20 V
3.5 V
28 nC
- 55 C
+ 150 C
83 W
Enhancement
Tube