BUKx Automotive MOSFETs

Nexperia BUKx Automotive MOSFETs are logic-level N-channel MOSFETs featuring TrenchMOS technology. Designed and qualified to meet AEC-Q101 standards, the Nexperia BUKx MOSFETs are ideal for demanding automotive applications, including 12V systems, motor control, and start-stop micro-hybrid systems. The MOSFETs offer excellent thermal performance with a maximum operating temperature of +175°C, making the devices suitable for thermally challenging environments.

Resultados: 89
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor Número de canales Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Id - Corriente de drenaje continua Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Vgs - Tensión entre puerta y fuente Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente Qg - Carga de puerta Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Dp - Disipación de potencia Modo canal Empaquetado
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK9611-80E/SOT404/D2PAK 5,154En existencias
Min.: 1
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: 800

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 80 V 75 A 11 mOhms - 10 V, 10 V 1.7 V 48.8 nC - 55 C + 175 C 182 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK963R3-60E/SOT404/D2PAK 4,675En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 800

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 60 V 120 A 2.73 mOhms - 15 V, 15 V 1.7 V 95 nC - 55 C + 175 C 293 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1205 2NCH 60V 22A 6,874En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,500

Si SMD/SMT LFPAK-56D-8 N-Channel 2 Channel 60 V 22 A 32 mOhms - 10 V, 10 V 1.4 V 7.8 nC - 55 C + 175 C 38 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK9Y14-80E/SOT669/LFPAK 10,735En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,500

Si SMD/SMT SOT-669-5 N-Channel 1 Channel 80 V 62 A 12.2 mOhms - 15 V, 15 V 1.7 V 28.9 nC - 55 C + 175 C 147 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK9Y15-60E/SOT669/LFPAK 4,793En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,500

Si SMD/SMT SOT-669-5 N-Channel 1 Channel 60 V 53 A 12.1 mOhms - 15 V, 15 V 1.7 V 17.2 nC - 55 C + 175 C 95 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK9Y21-40E/SOT669/LFPAK 6,869En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,500

Si SMD/SMT SOT-669-5 N-Channel 1 Channel 40 V 33 A 17 mOhms - 10 V, 10 V 1.4 V 7 nC - 55 C + 175 C 45 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK9Y29-40E/SOT669/LFPAK 14,618En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,500

Si SMD/SMT SOT-669-5 N-Channel 1 Channel 40 V 25 A 25.8 mOhms - 10 V, 10 V 1.7 V 5 nC - 55 C + 175 C 37 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK9Y3R0-40E/SOT669/LFPAK 10,294En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,500

Si SMD/SMT SOT-669-5 N-Channel 1 Channel 40 V 100 A 2.47 mOhms - 15 V, 15 V 1.7 V 35.5 nC - 55 C + 175 C 194 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK9Y4R8-60E/SOT669/LFPAK 2,274En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,500

Si SMD/SMT SOT-669-5 N-Channel 1 Channel 60 V 100 A 3.3 mOhms - 15 V, 15 V 1.7 V 50 nC - 55 C + 175 C 238 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK9Y65-100E/SOT669/LFPAK 7,718En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,500

Si SMD/SMT SOT-669-5 N-Channel 1 Channel 100 V 19 A 51.4 mOhms - 15 V, 15 V 1.7 V 14 nC - 55 C + 175 C 64 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK9Y6R0-60E/SOT669/LFPAK 3,124En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,500

Si SMD/SMT SOT-669-5 N-Channel 1 Channel 60 V 100 A 4.6 mOhms - 15 V, 15 V 1.7 V 39.4 nC - 55 C + 175 C 195 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK9Y72-80E/SOT669/LFPAK 6,745En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,500

Si SMD/SMT SOT-669-5 N-Channel 1 Channel 80 V 15 A 65 mOhms - 15 V, 15 V 1.7 V 7.9 nC - 55 C + 175 C 45 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK9Y7R2-60E/SOT669/LFPAK 4,573En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,500

Si SMD/SMT SOT-669-5 N-Channel 1 Channel 60 V 100 A 5.4 mOhms - 15 V, 15 V 1.7 V 35 nC - 55 C + 175 C 167 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT669 N-CH 80V 100A 3,324En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,500

Si SMD/SMT SOT-669-5 N-Channel 1 Channel 80 V 100 A 8 mOhms - 10 V, 10 V 1.4 V 54.7 nC - 55 C + 175 C 238 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK762R6-60E/SOT404/D2PAK 41En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 800

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 60 V 120 A 1.97 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 140 nC - 55 C + 175 C 324 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1205 2NCH 40V 27A 919En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,500

Si SMD/SMT LFPAK-56D-8 N-Channel 2 Channel 40 V 27 A 21.25 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 7.9 nC - 55 C + 175 C 32 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1205 2NCH 60V 15.4A 1,500En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,500

Si SMD/SMT LFPAK-33-8 N-Channel 2 Channel 60 V 15.4 A 45 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 9.2 nC - 55 C + 175 C 32 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1205 2NCH 30V 40A 875En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,500

Si SMD/SMT LFPAK-56D-8 N-Channel 2 Channel 30 V 40 A 4.34 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 31.1 nC - 55 C + 175 C 68 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1205 2NCH 30V 40A 36En existencias
1,500Se espera el 05/07/2027
Min.: 1
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: 1,500

Si SMD/SMT LFPAK-56D-8 N-Channel 2 Channel 30 V 40 A 4.76 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 29.7 nC - 55 C + 175 C 64 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK7K6R8-40E/SOT1205/LFPAK56D 1,217En existencias
3,000En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,500

Si SMD/SMT LFPAK-56D-8 N-Channel 2 Channel 40 V 40 A 5.8 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 28.9 nC - 55 C + 175 C 64 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT669 N-CH 40V 52A 1,010En existencias
1,500En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,500

Si SMD/SMT SOT-669-5 N-Channel 1 Channel 40 V 52 A 9.3 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 15 nC - 55 C + 175 C 65 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT669 N-CH 80V 65A 1,422En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,500

Si SMD/SMT LFPAK-56-5 N-Channel 1 Channel 80 V 65 A 9.2 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 44.8 nC - 55 C + 175 C 147 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT669 N-CH 60V 53A 596En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,500

Si SMD/SMT LFPAK-56-5 N-Channel 1 Channel 60 V 53 A 9.6 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 25.41 nC - 55 C + 175 C 94 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT669 100V 9.4A 2,065En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,500

Si SMD/SMT LFPAK-56-5 N-Channel 1 Channel 100 V 9.4 A 104 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 9.4 nC - 55 C + 175 C 37.3 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT669 N-CH 40V 33A 240En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,500

Si SMD/SMT LFPAK-56-5 N-Channel 1 Channel 40 V 33 A 17.8 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 10 nC - 55 C + 175 C 45 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel