RGW00TK65DGVC11

ROHM Semiconductor
755-RGW00TK65DGVC11
RGW00TK65DGVC11

Fabricante:

Descripción:
IGBTs 650V 50A TO-3PFM Field Stp Trnch IGBT

Modelo ECAD:
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Disponibilidad

Existencias:
No en existencias
Plazo de entrega de fábrica:
22 Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica.
Mínimo: 1   Múltiples: 1
Precio unitario:
$-.--
Precio ext.:
$-.--
Est. Tarifa:

Precio (USD)

Cantidad Precio unitario
Precio ext.
$10.75 $10.75
$6.29 $62.90
$5.30 $530.00
$4.68 $2,106.00

Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
ROHM Semiconductor
Categoría de producto: IGBTs
RoHS:  
Si
TO-3PFM-3
Through Hole
Single
650 V
1.9 V
30 V
45 A
89 W
- 40 C
+ 175 C
Tube
Marca: ROHM Semiconductor
Corriente de fuga puerta-emisor: 200 nA
Tipo de producto: IGBT Transistors
Cantidad de empaque de fábrica: 450
Subcategoría: IGBTs
Alias de las piezas n.º: RGW00TK65D
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Atributos seleccionados: 0

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MXHTS:
8541299900
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
ECCN:
EAR99

Field Stop Trench IGBTs

ROHM Field Stop Trench IGBTs are energy-saving, high-efficiency IGBTs used in a wide range of high-voltage and high-current applications. These IGBTs feature a low collector and emitter saturation voltage, short-circuit that withstands time, and built-in very fast and soft recovery FRD. The field stop trench IGBTs are ideal for UPS, power conditioners, welder, and general inverters for industrial use.

RGW 650V Field Stop Trench IGBTs

ROHM Semiconductor RGW 650V Field Stop Trench IGBTs offer a low collector-emitter saturation voltage in a small package. The RGW IGBTs feature high-speed switching, low switching loss, and built-in very fast and soft recovery FRD. The ROHM RGW 650V Field Stop Trench IGBTs are ideal for solar inverter, UPS, welding, IH, and PFC applications.