Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
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Infineon Technologies
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Si
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3 V
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28 En existencias
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$6.96
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IPDD60R150G7XTMA1
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726-IPDD60R150G7XTM1
Fin de vida útil
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
148 En existencias
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1,700
Detalles
Si
SMD/SMT
HDSOP-10
N-Channel
1 Channel
600 V
16 A
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95 W
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER NEW
IPT60R028G7XTMA1
Infineon Technologies
1:
$24.40
1,950 Se espera el 15/07/2026
N.º de artículo de Mouser
726-IPT60R028G7XTMA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER NEW
1,950 Se espera el 15/07/2026
1
$24.40
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$14.13
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2,000
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Si
SMD/SMT
HSOF-8
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600 V
75 A
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IPDD60R190G7XTMA1
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Plazo de entrega no en existencias 39 Semanas
N.º de artículo de Mouser
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Infineon Technologies
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Plazo de entrega no en existencias 39 Semanas
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500
$1.95
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$1.81
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Mult.: 1
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SMD/SMT
HDSOP-10
N-Channel
1 Channel
600 V
13 A
190 mOhms
- 20 V, 20 V
3 V
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- 55 C
+ 150 C
76 W
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Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER NEW
IPT60R125G7XTMA1
Infineon Technologies
2,000:
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Plazo de entrega no en existencias 15 Semanas
NRND
N.º de artículo de Mouser
726-IPT60R125G7XTMA1
NRND
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Plazo de entrega no en existencias 15 Semanas
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Mult.: 2,000
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2,000
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SMD/SMT
HSOF-8
N-Channel
1 Channel
600 V
20 A
108 mOhms
- 20 V, 20 V
3 V
27 nC
- 55 C
+ 150 C
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