Parece que JavaScript está deshabilitado en su navegador. Si no inicia sesión, algunas funciones en esta página no funcionarán.

Volver a resultados de la búsqueda

¿Vé algún error?

GRF5517W

Name: Guerrilla RF GRF5517W
Brand: Guerrilla RF
SKU: 459-GRF5517W
Price: 8.24 USD
Availability: InStock

Las imágenes son para referencia solamente
Ver especificaciones del producto

Mouser N.º:

459-GRF5517W

Fabricante N.º:

GRF5517W

Fabricante:

Guerrilla RF

Descripción:

Amplificador de RF High Linearity Power Amplifier; 1.7 - 1.8 GHz; AEC-Q100 Grade 2 Qualified; High gain, two-stage InGaP HBT power amplifier

Hoja de datos:

GRF5517W Hoja de datos

Modelo ECAD:

Descargue Library Loader gratis para convertir este archivo para su herramienta ECAD. Conozca más sobre el modelo ECAD.

Más información

Conozca más sobre Guerrilla RF GRF5517W

En existencias: 1,479

Existencias:: 1,479 Se puede enviar inmediatamente

Se ha producido un error inesperado. Vuelva a intentarlo más tarde.

Introducir cantidad:

Mínimo: 1 Múltiples: 1

Precio unitario:

$-.--

Precio ext.:

$-.--

Est. Tarifa:

Precio (USD)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
	$8.24	$8.24
	$5.92	$59.20
	$5.51	$137.75
	$4.85	$485.00
	$4.60	$1,150.00
	$4.12	$2,060.00
	$3.48	$3,480.00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 1500)
	$3.33	$4,995.00

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Guerrilla RF
Categoría de producto:	Amplificador de RF
Frecuencia de trabajo:	1.7 GHz to 1.8 GHz
Voltaje de alimentación operativo:	5 V
Corriente de suministro operativa:	305 mA
Ganancia:	27.5 dB
NF - Figura de ruido:	5.4 dB
Tipo:	Power Amplifiers
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	QFN-16
Tecnología:	InGaP
P1dB: punto de compresión:	32 dBm
OIP3: punto de intersección de tercer orden:	48 dBm
Temperatura de trabajo mínima:	- 40 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 105 C
Calificación:	AEC-Q100
Serie:	GRF5517
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	Guerrilla RF
Pérdida de retorno de entrada:	7 dB
Aislamiento dB:	50 dB
Número de canales:	2 Channel
Dp - Disipación de potencia :	1.4 W
Tipo de producto:	RF Amplifier
Cantidad de empaque de fábrica:	1500
Subcategoría:	Wireless & RF Integrated Circuits
Frecuencia de prueba:	1.747 GHz

Productos encontrados:

Para mostrar productos similares, seleccione al menos una casilla de verificación

Seleccione al menos una de las casillas de verificación anteriores para mostrar productos similares en esta categoría.

Atributos seleccionados: 0

Filtrar documento:

Hoja de datos

GRF5517W Hoja de datos

Videos

MXHTS:: 8542330299
CAHTS:: 8542330000
USHTS:: 8542330001
TARIC:: 8542330000
ECCN:: EAR99

GRF5517W High Linearity Power Amplifier

Guerrilla RF GRF5517W High Linearity Power Amplifier is a high gain, two-stage InGaP HBT power amplifier. This GRF5517W power amplifier is designed to deliver excellent P1dB, ACLR, and IM3 performance over the 1700MHz to 1800MHz frequency band. The high linearity power amplifier incorporates exceptional native linearity that makes it an ideal choice for transmitter applications without the need for digital pre-distortion correction schemes. This GRF5517W power amplifier operates at a supply voltage of 5V and 225mA quiescent current. The GRF5517W power amplifier is AEC-Q100 Grade 2 qualified. Typical applications include cellular boosters, automotive compensators, picocells/femtocells, and customer-premise equipment.