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SICW028N120A4-BP

Name: Micro Commercial Components (MCC) SICW028N120A4-BP
Brand: Micro Commercial Components (MCC)
SKU: 833-SICW028N120A4-BP
Price: 35.26 USD
Availability: InStock

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Mouser N.º:

833-SICW028N120A4-BP

Fabricante N.º:

SICW028N120A4-BP

Fabricante:

Micro Commercial Components (MCC)

Descripción:

MOSFETs de SiC

Hoja de datos:

SICW028N120A4-BP Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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	$35.26	$35.26
	$25.51	$255.10
	$22.18	$2,218.00

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Micro Commercial Components (MCC)
Categoría de producto:	MOSFETs de SiC
RoHS:
Estilo de montaje:	Through Hole
Paquete / Cubierta:	TO-247-4
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	1.2 kV
Id - Corriente de drenaje continua:	80 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	30 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 5 V, + 22 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	3 V
Qg - Carga de puerta:	168 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Dp - Disipación de potencia :	375 W
Modo canal:	Enhancement
Marca:	Micro Commercial Components (MCC)
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	11 ns
Empaquetado:	Bulk
Tipo de producto:	SiC MOSFETS
Tiempo de subida:	13 ns
Serie:	SICW028N120A4
Cantidad de empaque de fábrica:	1800
Subcategoría:	Transistors
Tecnología:	SiC
Tiempo de retardo de apagado típico:	42.5 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	14 ns

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Hoja de datos

SICW028N120A4-BP Hoja de datos (PDF)

Códigos de cumplimiento

MXHTS:: 8541299900
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

Clasificaciones de origen

País de origen:: China
País de origen del ensamblaje:: No disponible
País de difusión:: No disponible

El país está sujeto a cambios en el momento del envío.

SICW028N120A4 1200V SiC MOSFET

Micro Commercial Components (MCC) SICW028N120A4 1200V SiC MOSFET is designed with a low on-resistance of just 28mΩ at a gate-source voltage of 18V. This N-channel MOSFET works well with the popular D2PAK 4-pin footprint and includes a Kelvin source pin to reduce switching losses and boost energy efficiency significantly. This SICW028N120A4 MOSFET features a high avalanche ruggedness and has the ability to operate at high junction temperatures of 175°C. This MOSFET ensures superior thermal performance and efficient heat management, eliminating the need for additional cooling components while increasing product reliability and lifespan. The SICW028N120A4 MOSFET is a robust and reliable solution for a host of industrial and commercial applications dealing in harsh environments.

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MCC DC Fast Charging Solutions support the next generation of EV infrastructures with high-performance components designed for speed, safety, and system efficiency. As global EV adoption accelerates, fast chargers are crucial for meeting driver expectations, cutting charge times dramatically, and making electric mobility more practical and scalable.