Parece que JavaScript está deshabilitado en su navegador. Si no inicia sesión, algunas funciones en esta página no funcionarán.

Volver a resultados de la búsqueda

¿Vé algún error?

AFGB30T65RQDN

Name: onsemi AFGB30T65RQDN
Brand: onsemi
SKU: 863-AFGB30T65RQDN
Price: 5.58 USD
Availability: InStock

Las imágenes son para referencia solamente
Ver especificaciones del producto

Mouser N.º:

863-AFGB30T65RQDN

Fabricante N.º:

AFGB30T65RQDN

Fabricante:

onsemi

Descripción:

IGBTs 650V/30A FS4 SCR IGBT D2PAK AUTOMOTIVE

Ciclo de vida:

Nuevo producto:

Lo nuevo de este fabricante.

Hoja de datos:

AFGB30T65RQDN Hoja de datos

Modelo ECAD:

Descargue Library Loader gratis para convertir este archivo para su herramienta ECAD. Conozca más sobre el modelo ECAD.

Más información

Conozca más sobre onsemi AFGB30T65RQDN

En existencias: 553

Existencias:: 553 Se puede enviar inmediatamente

Se ha producido un error inesperado. Vuelva a intentarlo más tarde.
Plazo de entrega de fábrica:: 17 Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica para cantidades superiores a las que se muestran.

Introducir cantidad:

Mínimo: 1 Múltiples: 1

Precio unitario:

$-.--

Precio ext.:

$-.--

Est. Tarifa:

Precio (USD)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
	$5.58	$5.58
	$3.67	$36.70
	$2.74	$274.00
	$2.44	$1,220.00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 800)
	$2.16	$1,728.00

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	onsemi
Categoría de producto:	IGBTs
RoHS:
Tecnología:	Si
Paquete / Cubierta:	D2PAK-3
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Configuración:	Single
Máx. voltaje VCEO colector-emisor:	650 V
Voltaje de saturación colector-emisor:	1.58 V
Máximo voltaje puerta-emisor:	20 V, 30 V
Colector de Corriente Continua a 25 C:	68 A
Dp - Disipación de potencia :	235.48 W
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Serie:	AFGB30T65RQDN
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	onsemi
Tipo de producto:	IGBTs
Cantidad de empaque de fábrica:	800
Subcategoría:	Transistors

Productos encontrados:

Para mostrar productos similares, seleccione al menos una casilla de verificación

Seleccione al menos una de las casillas de verificación anteriores para mostrar productos similares en esta categoría.

Atributos seleccionados: 0

Filtrar documento:

Hoja de datos

AFGB30T65RQDN Hoja de datos

PCN

Product Change Notification 2025-12-15 (PDF)

Material Composition Disclosure

USHTS:: 8541290095
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

AFGB30T65RQDN IGBT

onsemi AFGB30T65RQDN Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) offers the optimum performance for automotive applications. This IGBT features high current capability, fast switching, high input impedance, and tightened parameter distribution. The AFGB30T65RQDN IGBT is short circuit rated and offers a high figure of merit with low conduction and switching losses. This IGBT is AEC-Q101 qualified, Pb-free, and RoHS compliant. Typical applications include the E-compressor for HEV/EV and the PTC Heater for HEV/EV.