GaN FETs – Mouser México

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FET eMode GaN

Nexperia eMode GaN FETs come in a voltage range from 100V to 650V with superior switching performance. These GaN FETs offer fast transition capabilities through their low Q_C and Q_OSS values, resulting in excellent power efficiency.

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Resultados: 12

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Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Dp - Disipación de potencia

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N.° de pieza

GaN FETs GANE140-700BBA/SOT428/DPAK

GANE140-700BBAZ
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GANE140-700BBAZ

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771-GANE140-700BBAZ

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GaN FETs GANE140-700BBA/SOT428/DPAK

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Cinta cortada

$5.43

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Carrete: 2,500

SMD/SMT

TO-252-3

P-Channel

1 Channel

700 V

17 A

140 mOhms

7 V

2.5 V

3.5 nC

- 55 C

+ 150 C

110 W

Enhancement

GaN FETs GANE350-650FBA/SOT8075/DFN5060

GANE350-650FBAZ
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1: $2.02
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GANE350-650FBAZ

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$2.02

$1.34

$1.19

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$0.927

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Carrete: 2,500

SMD/SMT

DFN-5

P-Channel

1 Channel

650 V

6 A

350 mOhms

7 V

2.5 V

1.5 nC

- 55 C

+ 150 C

65 W

Enhancement

GaN FETs GANE350-700BBA/SOT428/DPAK

GANE350-700BBAZ
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$0.927

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Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

TO-252-3

P-Channel

1 Channel

700 V

6 A

350 mOhms

7 V

2.5 V

1.5 nC

- 55 C

+ 150 C

47 W

Enhancement

GaN FETs GANE190-700BBA/SOT428/DPAK

GANE190-700BBAZ
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GaN FETs GANE190-700BBA/SOT428/DPAK

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SMD/SMT

TO-252-3

P-Channel

1 Channel

700 V

11.5 A

190 mOhms

7 V

2.5 V

2.8 nC

- 55 C

+ 150 C

84 W

Enhancement

GaN FETs GANE240-700BBA/SOT428/DPAK

GANE240-700BBAZ
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1: $4.28
2,000En existencias
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GaN FETs GANE240-700BBA/SOT428/DPAK

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SMD/SMT

TO-252-3

P-Channel

1 Channel

700 V

10 A

240 mOhms

7 V

2.5 V

2 nC

- 55 C

+ 150 C

74 W

Enhancement

GaN FETs SOT8074 650V 17A FET

GAN140-650EBEZ
Nexperia
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GAN140-650EBEZ

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771-GAN140-650EBEZ

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GaN FETs SOT8074 650V 17A FET

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Envase tipo carrete

$2.90

MouseReel Disponible

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SMD/SMT

DFN-8080-8

N-Channel

1 Channel

650 V

17 A

140 mOhms

1.2 nC

- 55 C

+ 150 C

113 W

Enhancement

GaN FETs SOT8075 650V 17A FET

GAN140-650FBEZ
Nexperia
1: $9.70
1,728En existencias

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GAN140-650FBEZ

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771-GAN140-650FBEZ

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GaN FETs SOT8075 650V 17A FET

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$9.70

$6.58

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$4.82

$4.51

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$2.70

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SMD/SMT

DFN-5060-5

N-Channel

1 Channel

650 V

17 A

140 mOhms

- 7 V, + 7 V

2.5 V

3.5 nC

- 55 C

+ 150 C

113 W

Enhancement

GaN FETs SOT8072 100V 60A FET

GAN3R2-100CBEAZ
Nexperia
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GAN3R2-100CBEAZ

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$4.11

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$2.59

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Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,500

SMD/SMT

WLCSP-8

N-Channel

1 Channel

100 V

60 A

3.2 mOhms

- 6 V, + 6 V

2.5 V

12 nC

- 40 C

+ 150 C

394 W

Enhancement

GaN FETs SOT8073 150V 28A FET

GAN7R0-150LBEZ
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GAN7R0-150LBEZ

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$3.16

$2.25

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$1.63

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Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

FCLGA-3

N-Channel

1 Channel

150 V

28 A

7 mOhms

- 6 V, + 6 V

2.1 V

7.6 nC

- 40 C

+ 150 C

28 W

Enhancement

GaN FETs SOT8074 650V 29A FET

GAN080-650EBEZ
Nexperia
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GAN080-650EBEZ

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Cinta cortada

$10.05

$6.83

$5.21

Envase tipo carrete

$4.25

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Mult.: 1

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SMD/SMT

DFN-8080-8

N-Channel

1 Channel

650 V

29 A

80 mOhms

- 7 V, + 7 V

2.5 V

6.2 nC

- 55 C

+ 150 C

188 W

Enhancement

GaN FETs SOT8074 650V 11.5A FET

GAN190-650EBEZ
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GAN190-650EBEZ

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771-GAN190-650EBEZ

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Cinta cortada

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$4.00

$3.37

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Envase tipo carrete

$1.85

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Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

DFN-8080-8

N-Channel

1 Channel

650 V

11.5 A

190 mOhms

- 7 V, + 7 V

2.5 V

2.8 nC

- 55 C

+ 150 C

125 W

Enhancement

GaN FETs SOT8075 650V 11.5A FET

GAN190-650FBEZ
Nexperia
1: $6.94
2,483Se espera el 09/03/2026

N.º de artículo del Fabricante
GAN190-650FBEZ

N.º de artículo de Mouser
771-GAN190-650FBEZ

Nexperia

GaN FETs SOT8075 650V 11.5A FET

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2,483Se espera el 09/03/2026

Cinta cortada

$6.94

$4.62

$3.84

$3.24

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Envase tipo carrete

$1.73

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Carrete: 2,500

SMD/SMT

DFN-5060-5

N-Channel

1 Channel

650 V

11.5 A

190 mOhms

- 7 V, + 7 V

2.5 V

2.8 nC

- 55 C

+ 150 C

125 W

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