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NTMTSC1D5N08MC

Name: onsemi NTMTSC1D5N08MC
Brand: onsemi
SKU: 863-NTMTSC1D5N08MC
Price: 11.83 USD
Availability: InStock

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Mouser N.º:

863-NTMTSC1D5N08MC

Fabricante N.º:

NTMTSC1D5N08MC

Fabricante:

onsemi

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	$5.92	$2,960.00
	$5.53	$5,530.00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)
	$5.53	$16,590.00

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	onsemi
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
REACH - SVHC:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	DFN-8
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	80 V
Id - Corriente de drenaje continua:	287 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	1.56 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	4 V
Qg - Carga de puerta:	101 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	250 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	onsemi
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	PH
País de difusión:	KR
País de origen:	PH
Tiempo de caída:	31 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	219 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	24 ns
Serie:	NTMTSC1D5N08MC
Cantidad de empaque de fábrica:	3000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	69 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	30 ns