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SIHH080N60E-T1-GE3

Name: Vishay SIHH080N60E-T1-GE3
Brand: Vishay / Siliconix
SKU: 78-SIHH080N60ET1-GE3
Price: 7.63 USD
Availability: InStock

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Mouser N.º:

78-SIHH080N60ET1-GE3

Fabricante N.º:

SIHH080N60E-T1-GE3

Fabricante:

Vishay / Siliconix

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PWRPK 600V 32A N-CH MOSFET

Hoja de datos:

SIHH080N60E-T1-GE3 Hoja de datos

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Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)

Cinta cortada

MouseReel™ (+$7.00)

Precio (USD)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ ^†
	$7.63	$7.63
	$5.16	$51.60
	$3.72	$372.00
	$3.67	$1,835.00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)
	$2.99	$8,970.00

† $7.00 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Vishay
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	PowerPAK 8x8-4
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	600 V
Id - Corriente de drenaje continua:	32 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	80 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 30 V, 30 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	5 V
Qg - Carga de puerta:	42 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	184 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	Vishay / Siliconix
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	TW
Tiempo de caída:	31 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	4.6 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	96 ns
Serie:	SIHH E
Cantidad de empaque de fábrica:	3000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	37 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	31 ns

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CNHTS:: 8541290000
TARIC:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

SiHH080N60E E Series Power MOSFETs

Vishay / Siliconix SiHH080N60E E Series Power MOSFETs provide 4th generation E series technology in a PowerPAK® 8 x 8 package. The SiHH080N60E MOSFETs utilize a low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg and low effective capacitance (Co(er)). The Vishay / Siliconix SiHH080N60E E Series Power MOSFETs' reduced switching and conduction losses are optimized with a 650V drain-source voltage 63nC total gate charge.