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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Calificación
Nombre comercial
Empaquetado

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 31.2A TO247-3
Hoja de datos
579En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 31.2 A 99 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 118 nC - 40 C + 150 C 277.8 W Enhancement AEC-Q100 CoolMOS Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 31A D2PAK-2 CoolMOS CPA
Hoja de datos
3,198En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 600 V 31 A 90 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 80 nC - 40 C + 150 C 255 W Enhancement AEC-Q100 CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 6A D2PAK-2
Hoja de datos
918En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 650 V 6 A 594 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 20 nC - 40 C + 150 C 62.5 W Enhancement AEC-Q100 CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 99.6A D2PAK-2
Hoja de datos
534En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 650 V 31.2 A 99 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 118 nC - 40 C + 150 C 277.8 W Enhancement AEC-Q100 CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 11.4A D2PAK-2
Hoja de datos
2,513En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 650 V 11.4 A 280 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 41 nC - 40 C + 150 C 104.2 W Enhancement AEC-Q100 CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 60A TO247-3 CoolMOS CPA
Hoja de datos
314En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 60 A 45 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 190 nC - 40 C + 150 C 431 W Enhancement AEC-Q100 CoolMOS Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 31A D2PAK-2 CoolMOS CPA
Hoja de datos
470En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 600 V 31 A 90 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 80 nC - 40 C + 150 C 255 W Enhancement AEC-Q100 CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 6A DPAK-2
Hoja de datos
3,556En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 650 V 6 A 594 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 20 nC - 40 C + 150 C 62.5 W Enhancement AEC-Q100 CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 43.3A TO247-3
Hoja de datos
381En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 43.3 A 72 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 161 nC - 40 C + 150 C 391 W Enhancement AEC-Q100 CoolMOS Tube

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 43.3A TO247-3
Hoja de datos
565En existencias
480Se espera el 24/12/2026
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 43.3 A 72 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 161 nC - 40 C + 150 C 391 W Enhancement AEC-Q100 CoolMOS Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 57.2A D2PAK-2
Hoja de datos
768En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 650 V 17.5 A 171 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 68 nC - 40 C + 150 C 151 W Enhancement AEC-Q100 CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 57.2A D2PAK-2
Hoja de datos
775En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 650 V 17.5 A 171 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 68 nC - 40 C + 150 C 151 W Enhancement AEC-Q100 CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 11.4A D2PAK-2
Hoja de datos
30En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 650 V 11.4 A 280 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 41 nC - 40 C + 150 C 104.2 W Enhancement AEC-Q100 CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS
Hoja de datos
277En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 31 A 90 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 80 nC - 40 C + 150 C 255 W Enhancement AEC-Q101 CoolMOS Tube

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 22.4A TO247-3
Hoja de datos
143En existencias
240Se espera el 11/06/2026
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 22.4 A 150 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 86 nC - 40 C + 150 C 195.3 W Enhancement AEC-Q100 CoolMOS Tube

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS
Hoja de datos
46En existencias
720En pedido
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 31 A 90 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 80 nC - 40 C + 150 C 255 W Enhancement AEC-Q101 CoolMOS Tube

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 31.2A TO247-3
Hoja de datos
201En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 31.2 A 99 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 118 nC - 40 C + 150 C 277.8 W Enhancement AEC-Q100 CoolMOS Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 31.2A TO220-3
Hoja de datos
2,500En pedido
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 31.2 A 110 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 118 nC - 40 C + 150 C 277.8 W Enhancement AEC-Q100 CoolMOS Tube

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 63.3A TO247-3
Hoja de datos
218Se espera el 26/05/2026
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 63.3 A 43 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 270 nC - 40 C + 150 C 500 W Enhancement AEC-Q100 CoolMOS Tube

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 63.3A TO247-3
Hoja de datos
240Se espera el 26/05/2026
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 63.3 A 43 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 270 nC - 40 C + 150 C 500 W Enhancement AEC-Q100 CoolMOS Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 99.6A D2PAK-2
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 8 Semanas
Min.: 1,000
Mult.: 1,000
: 1,000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 650 V 31.2 A 99 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 118 nC - 40 C + 150 C 277.8 W Enhancement AEC-Q100 CoolMOS Reel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 6A DPAK-2
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 18 Semanas
Min.: 2,500
Mult.: 2,500
: 2,500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 650 V 6 A 594 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 20 nC - 40 C + 150 C 62.5 W Enhancement AEC-Q100 CoolMOS Reel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 8.7A DPAK-2
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 18 Semanas
Min.: 2,500
Mult.: 2,500
: 2,500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 650 V 8.7 A 420 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 32 nC - 55 C + 175 C 83.3 W Enhancement AEC-Q100 CoolMOS Reel