Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Resultados: 23

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Paquete / Cubierta

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

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Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 31A D2PAK-2 CoolMOS CPA

IPB60R099CPA
Infineon Technologies
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3,852En existencias

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IPB60R099CPA

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726-IPB60R099CPA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 31A D2PAK-2 CoolMOS CPA

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$10.28

$7.25

$6.05

$5.40

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$4.80

$4.78

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Enhancement

AEC-Q100

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 11.4A D2PAK-2

IPB65R310CFDAATMA1
Infineon Technologies
1: $3.65
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726-IPB65R310CFDAATM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 11.4A D2PAK-2

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Cinta cortada

$3.65

$2.70

$1.89

$1.60

Envase tipo carrete

$1.35

$1.30

MouseReel Disponible

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SMD/SMT

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650 V

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- 20 V, 20 V

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+ 150 C

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Enhancement

AEC-Q100

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 31A D2PAK-2 CoolMOS CPA

IPB60R099CPAATMA1
Infineon Technologies
1: $10.27
506En existencias

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Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 31A D2PAK-2 CoolMOS CPA

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$10.27

$7.01

$5.40

$5.38

Envase tipo carrete

$4.39

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SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

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1 Channel

600 V

31 A

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- 20 V, 20 V

2.5 V

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 31.2A TO247-3

IPW65R110CFDA
Infineon Technologies
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604En existencias

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Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 31.2A TO247-3

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$9.36

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$5.59

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TO-247-3

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650 V

31.2 A

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CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 63.3A TO247-3

IPW65R048CFDAFKSA1
Infineon Technologies
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$10.52

$7.68

$6.72

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 63.3A TO247-3

IPW65R048CFDA
Infineon Technologies
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Infineon Technologies

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$8.81

$7.84

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TO-247-3

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650 V

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IPB65R660CFDAATMA1
Infineon Technologies
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IPB65R660CFDAATMA1

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$2.08

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Infineon Technologies
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$8.22

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AEC-Q100

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 57.2A D2PAK-2

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Infineon Technologies
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IPB65R190CFDAATMA1

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Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 57.2A D2PAK-2

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Cinta cortada

$5.30

$3.73

$2.64

$2.42

Envase tipo carrete

$1.96

MouseReel Disponible

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Carrete: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

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1 Channel

650 V

17.5 A

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- 20 V, 20 V

3.5 V

68 nC

- 40 C

+ 150 C

151 W

Enhancement

AEC-Q100

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 60A TO247-3 CoolMOS CPA

IPW60R045CPA
Infineon Technologies
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421En existencias

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IPW60R045CPA

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726-IPW60R045CPA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 60A TO247-3 CoolMOS CPA

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421En existencias

$21.02

$21.01

$13.13

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$11.75

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TO-247-3

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1 Channel

600 V

60 A

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431 W

Enhancement

AEC-Q100

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 43.3A TO247-3

IPW65R080CFDA
Infineon Technologies
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391En existencias

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IPW65R080CFDA

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Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 43.3A TO247-3

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391En existencias

$10.73

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$6.50

$5.79

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43.3 A

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391 W

Enhancement

AEC-Q100

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 57.2A D2PAK-2

IPB65R190CFDA
Infineon Technologies
1: $5.59
68En existencias
1,000Se espera el 16/02/2026

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IPB65R190CFDA

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726-IPB65R190CFDA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 57.2A D2PAK-2

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68En existencias

1,000Se espera el 16/02/2026

Cinta cortada

$5.59

$3.74

$2.87

$2.56

Envase tipo carrete

$2.17

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

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SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

650 V

17.5 A

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- 20 V, 20 V

3.5 V

68 nC

- 40 C

+ 150 C

151 W

Enhancement

AEC-Q100

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 11.4A D2PAK-2

IPB65R310CFDA
Infineon Technologies
1: $4.13
30En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB65R310CFDA

N.º de artículo de Mouser
726-IPB65R310CFDA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 11.4A D2PAK-2

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30En existencias

Cinta cortada

$4.13

$2.69

$2.07

$1.74

Envase tipo carrete

$1.47

$1.39

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

650 V

11.4 A

280 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

41 nC

- 40 C

+ 150 C

104.2 W

Enhancement

AEC-Q100

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS

IPW60R099CPA
Infineon Technologies
1: $9.57
87En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPW60R099CPA

N.º de artículo de Mouser
726-IPW60R099CPA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS

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87En existencias

$9.57

$8.13

$6.77

$5.98

$5.38

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Mult.: 1

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TO-247-3

N-Channel

1 Channel

600 V

31 A

90 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

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255 W

Enhancement

AEC-Q101

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 22.4A TO247-3

IPW65R150CFDAFKSA1
Infineon Technologies
1: $5.79
317En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPW65R150CFDAFKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPW65R150CFDAFKS

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 22.4A TO247-3

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Hoja de datos

317En existencias

$5.79

$3.42

$3.08

$3.06

$2.54

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

22.4 A

150 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

86 nC

- 40 C

+ 150 C

195.3 W

Enhancement

AEC-Q100

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS

IPW60R099CPAFKSA1
Infineon Technologies
1: $10.48
260En existencias
240Se espera el 16/02/2026

N.º de artículo del Fabricante
IPW60R099CPAFKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-PW60R099CPAFKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS

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Hoja de datos

260En existencias

240Se espera el 16/02/2026

$10.48

$6.34

$5.64

$5.47

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

600 V

31 A

90 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

80 nC

- 40 C

+ 150 C

255 W

Enhancement

AEC-Q101

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 6A DPAK-2

IPD65R660CFDA
Infineon Technologies
1: $2.94
1,679En existencias
2,500Se espera el 09/04/2026

N.º de artículo del Fabricante
IPD65R660CFDA

N.º de artículo de Mouser
726-IPD65R660CFDA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 6A DPAK-2

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Hoja de datos

1,679En existencias

2,500Se espera el 09/04/2026

Cinta cortada

$2.94

$1.89

$1.28

$1.02

$0.972

Envase tipo carrete

$0.806

MouseReel Disponible

Min.: 1
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Carrete: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

650 V

6 A

594 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

20 nC

- 40 C

+ 150 C

62.5 W

Enhancement

AEC-Q100

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 31.2A TO220-3

IPP65R110CFDAAKSA1
Infineon Technologies
1: $4.60
435En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPP65R110CFDAAKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP65R110CFDAAKS

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 31.2A TO220-3

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Hoja de datos

435En existencias

$4.60

$4.51

$4.26

$4.17

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

650 V

31.2 A

110 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

118 nC

- 40 C

+ 150 C

277.8 W

Enhancement

AEC-Q100

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 43.3A TO247-3

IPW65R080CFDAFKSA1
Infineon Technologies
1: $10.50
211En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPW65R080CFDAFKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPW65R080CFDAFKS

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 43.3A TO247-3

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Hoja de datos

211En existencias

$10.50

$5.82

$5.19

$5.17

$4.72

Min.: 1
Mult.: 1

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TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

43.3 A

72 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

161 nC

- 40 C

+ 150 C

391 W

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CoolMOS

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 31.2A TO247-3

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Infineon Technologies
1: $9.07
201En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPW65R110CFDAFKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPW65R110CFDAFKS

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 31.2A TO247-3

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Hoja de datos

201En existencias

$9.07

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$5.46

$3.85

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31.2 A

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 99.6A D2PAK-2

IPB65R110CFDA
Infineon Technologies
1,000: $3.69
Plazo de entrega no en existencias 8 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
IPB65R110CFDA

N.º de artículo de Mouser
726-IPB65R110CFDA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 99.6A D2PAK-2

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Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 8 Semanas

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AEC-Q100

CoolMOS

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 6A DPAK-2

SP000928260
Infineon Technologies
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SP000928260

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Min.: 2,500
Mult.: 2,500

Carrete: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

650 V

6 A

594 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

20 nC

- 40 C

+ 150 C

62.5 W

Enhancement

AEC-Q100

CoolMOS

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 8.7A DPAK-2

SP000928262
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2,500: $1.09
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SP000928262

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726-SP000928262

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$1.05

Min.: 2,500
Mult.: 2,500

Carrete: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

650 V

8.7 A

420 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

32 nC

- 55 C

+ 175 C

83.3 W

Enhancement

AEC-Q100

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