PSC1065B1-QZ

Nexperia
771-PSC1065B1-QZ
PSC1065B1-QZ

Fabricante:

Descripción:
Diodos Schottky de SiC PSC1065B1-Q/NAU000/UNCASED

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Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
Nexperia
Categoría de producto: Diodos Schottky de SiC
RoHS:  
SMD/SMT
PSC1065B1-Q-2
Single
10 A
650 V
1.5 V
440 A
1 uA
- 55 C
+ 175 C
Marca: Nexperia
Dp - Disipación de potencia : 58 W
Tipo de producto: SiC Schottky Diodes
Cantidad de empaque de fábrica: 8000
Subcategoría: Diodes & Rectifiers
Vr - Tensión inversa: 650 V
Alias de las piezas n.º: 934667973027
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Atributos seleccionados: 0

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CAHTS:
8541100090
USHTS:
8541100040
KRHTS:
8541109000
TARIC:
8541100000
ECCN:
EAR99

Diodos Schottky de carburo de silicio (SiC) PSC1065B1

Nexperia PSC1065B1 Silicon Carbide (SiC) Schottky Diodes are designed for ultra-high performance, low loss, and high-efficiency power conversion applications. The Merged PiN Schottky (MPS) diode delivers zero recovery switching behavior integrated with an excellent figure-of-merit (QC x VF). The PSC1065B1 Diode enhances the robustness described in a high IFSM. These diodes are ideal for AC-DC converters, DC-DC converters, photovoltaic inverters, telecom power supplies.