GNP2x 650V Enhancement Mode GaN HEMTs

ROHM Semiconductor GNP2x 650V Enhancement Mode GaN High-Electron-Mobility Transistors (HEMTs) are designed for high-performance power conversion applications. These modules feature a high breakdown voltage and a low gate charge. The GNP2x series offers high efficiency, high power density, and fast switching capabilities. ROHM GaN HEMTs feature an 8.5V transient gate-to-source voltage and operate within the -55°C to +150°C temperature range. Typical applications include high-switching-frequency and high-density converters.

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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
ROHM Semiconductor GaN FETs TOLL8N 650V 27A HEMT
Hoja de datos
1,913En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,000

SMD/SMT TOLL-8N N-Channel 1 Channel 650 V 27 A 98 mOhms - 10 V to + 6.5 V 1.5 V 5.2 nC - 55 C + 150 C 159 W Enhancement
ROHM Semiconductor GaN FETs GaN FETs 650V, 23A, 70m
Hoja de datos
839En existencias
3,500Se espera el 05/11/2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,500
SMD/SMT DFN8080CK-8 N-Channel 1 Channel 650 V 27.2 A 98 mOhms - 10 V, + 6.5 V 2.5 V 4.7 nC - 55 C + 150 C 169 W Enhancement
ROHM Semiconductor GaN FETs GaN FETs 650V, 14.5A, 130m, Pd 91W
Hoja de datos
1,574En existencias
3,500Se espera el 06/11/2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,500
SMD/SMT DFN8080CK-8 N-Channel 1 Channel 650 V 14.5 A 182 mOhms - 10 V, + 6.5 V 2.5 V 2.8 nC - 55 C + 150 C 91 W Enhancement
ROHM Semiconductor GaN FETs EcoGaN, 650V 59.8A TOLL-8N, E-mode Gallium-Nitride(GaN) HEMT
Hoja de datos
2,000Se espera el 30/11/2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,000
SMD/SMT TOLL-8N N-Channel 1 Channel 650 V 59.8 A 35 mOhms - 10 V, + 6.5 V 2.5 V 13.2 nC - 55 C + 150 C 291 W Enhancement
ROHM Semiconductor GaN FETs DFN 650V 33.8 HEMT
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 25 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,500

SMD/SMT DFN-8 N-Channel 1 Channel 650 V 33.8 A 70 mOhms - 10 V, 6.5 V 2.5 V 6.4 nC - 55 C + 150 C 187 W Enhancement