Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 100A D2PAK-2
IPB026N06NATMA1
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726-IPB026N06NATMA1
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 100A D2PAK-2
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Si
SMD/SMT
D2PAK-3 (TO-263-3)
N-Channel
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100 A
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Enhancement
OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 25V 40A TDSON-8 OptiMOS
BSZ018NE2LS
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726-BSZ018NE2LS
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 25V 40A TDSON-8 OptiMOS
5,900 En existencias
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Si
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TSDSON-8
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Enhancement
OptiMOS
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 90A DPAK-2
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Infineon Technologies
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Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 90A DPAK-2
7,199 En existencias
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Si
SMD/SMT
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OptiMOS
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 15V-30V
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Si
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OptiMOS
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Infineon Technologies
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 25V 100A TDSON-8 OptiMOS
3,490 En existencias
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Si
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 100A TDSON-8 FL OptiMOS
6,723 En existencias
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 100A TDSON-8 OptiMOS
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 100A TDSON-8 OptiMOS
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10,000 Se espera el 08/10/2026
15,000 Se espera el 22/10/2026
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52 Semanas
1
$4.26
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Si
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19,680 Se espera el 19/08/2026
25,000 Se espera el 27/08/2026
Plazo de entrega de fábrica:
52 Semanas
1
$3.91
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Si
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TDSON-8
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
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10,368 En existencias
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Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
10,368 En existencias
15,000 Se espera el 03/08/2027
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Si
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TDSON-8
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OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
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Infineon Technologies
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N.º de artículo de Mouser
726-BSZ065N03LS
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 40A TDSON-8 OptiMOS
10,097 En existencias
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Ver
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$0.364
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Min.: 1
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5,000
Detalles
Si
SMD/SMT
TSDSON-8
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1 Channel
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49 A
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OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 180A D2PAK-6
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Infineon Technologies
1:
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452 En existencias
1,000 En pedido
N.º de artículo de Mouser
726-IPB010N06NATMA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 180A D2PAK-6
452 En existencias
1,000 En pedido
Embalaje alternativo
1
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$4.41
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Min.: 1
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1,000
Detalles
Si
SMD/SMT
TO-263-7
N-Channel
1 Channel
60 V
180 A
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- 20 V, 20 V
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243 nC
- 55 C
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Enhancement
OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 180A D2PAK-6
IPB014N06NATMA1
Infineon Technologies
1:
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N.º de artículo de Mouser
726-IPB014N06NATMA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 180A D2PAK-6
651 En existencias
Embalaje alternativo
1
$8.00
10
$5.32
100
$3.85
500
$3.48
1,000
$3.32
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Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
1,000
Detalles
Si
SMD/SMT
TO-263-7
N-Channel
1 Channel
60 V
180 A
1.2 mOhms
- 20 V, 20 V
2.1 V
124 nC
- 55 C
+ 175 C
214 W
Enhancement
OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 45A DPAK-2
IPD053N06NATMA1
Infineon Technologies
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N.º de artículo de Mouser
726-IPD053N06NATMA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 45A DPAK-2
3,279 En existencias
Embalaje alternativo
1
$3.09
10
$1.99
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500
$1.08
1,000
$0.989
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$0.918
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
2,500
Detalles
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
N-Channel
1 Channel
60 V
45 A
4.5 mOhms
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+ 175 C
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Enhancement
OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS Power-Transistor,60V
Infineon Technologies IPP029N06NXKSA1
IPP029N06NXKSA1
Infineon Technologies
1:
$2.95
826 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPP029N06NXKSA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS Power-Transistor,60V
826 En existencias
1
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10
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100
$1.35
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$0.846
Comprar
Min.: 1
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Detalles
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
60 V
84 A
2.9 mOhms
- 20 V, 20 V
3.3 V
56 nC
- 55 C
+ 175 C
38 W
Enhancement
OptiMOS
Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 25V 1 N-CH HEXFET 1.25mOhms 46nC
IRF6717MTRPBF
Infineon Technologies
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N.º de artículo de Mouser
942-IRF6717MTRPBF
NRND
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 25V 1 N-CH HEXFET 1.25mOhms 46nC
4,382 En existencias
1
$4.11
10
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Ver
4,800
$1.28
1,000
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4,800
$1.28
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Min.: 1
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4,800
Detalles
Si
SMD/SMT
DirectFET-MX
N-Channel
1 Channel
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220 A
1.6 mOhms
- 20 V, 20 V
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Enhancement
DirectFET
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 45A D2PAK-2
IPB057N06NATMA1
Infineon Technologies
1:
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159 En existencias
6,000 En pedido
N.º de artículo de Mouser
726-IPB057N06NATMA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 45A D2PAK-2
159 En existencias
6,000 En pedido
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Embalaje alternativo
Existencias:
159 Se puede enviar inmediatamente
En pedido:
3,000 Se espera el 01/10/2026
3,000 Se espera el 20/10/2026
Plazo de entrega de fábrica:
11 Semanas
1
$3.71
10
$2.38
100
$1.63
500
$1.38
1,000
$1.14
2,000
$1.10
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
1,000
Detalles
Si
SMD/SMT
D2PAK-3 (TO-263-3)
N-Channel
1 Channel
60 V
45 A
4.9 mOhms
- 20 V, 20 V
2.1 V
32 nC
- 55 C
+ 175 C
83 W
Enhancement
OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 100A I2PAK-3
IPI029N06NAKSA1
Infineon Technologies
1:
$4.00
876 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPI029N06NAKSA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 100A I2PAK-3
876 En existencias
Embalaje alternativo
1
$4.00
10
$1.99
100
$1.79
500
$1.48
1,000
$1.29
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
Through Hole
TO-262-3
N-Channel
1 Channel
60 V
100 A
2.7 mOhms
- 20 V, 20 V
2.1 V
66 nC
- 55 C
+ 175 C
136 W
Enhancement
OptiMOS
Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS
BSC011N03LS
Infineon Technologies
1:
$2.93
2,982 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-BSC011N03LS
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS
2,982 En existencias
Embalaje alternativo
1
$2.93
10
$1.86
100
$1.25
500
$1.01
1,000
Ver
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1,000
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$0.814
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
5,000
Detalles
Si
SMD/SMT
TDSON-8
N-Channel
1 Channel
30 V
230 A
1.1 mOhms
- 20 V, 20 V
2 V
72 nC
- 55 C
+ 150 C
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Enhancement
OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 25V 84A TDSON-8 OptiMOS
BSC032NE2LS
Infineon Technologies
1:
$1.63
3,067 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-BSC032NE2LS
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 25V 84A TDSON-8 OptiMOS
3,067 En existencias
Embalaje alternativo
1
$1.63
10
$1.00
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25,000
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Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
5,000
Detalles
Si
SMD/SMT
TDSON-8
N-Channel
1 Channel
25 V
84 A
2.7 mOhms
- 20 V, 20 V
1.2 V
21 nC
- 55 C
+ 150 C
37 W
Enhancement
OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 100A TDSON-8
BSC039N06NSATMA1
Infineon Technologies
1:
$2.11
13 En existencias
80,000 En pedido
N.º de artículo de Mouser
726-BSC039N06NSATMA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 100A TDSON-8
13 En existencias
80,000 En pedido
Ver fechas
Embalaje alternativo
Existencias:
13 Se puede enviar inmediatamente
En pedido:
55,000 Se espera el 08/04/2027
15,000 Se espera el 22/07/2027
Plazo de entrega de fábrica:
52 Semanas
1
$2.11
10
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