Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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LFPAK4 Industrial N-Channel Power MOSFETs

onsemi LFPAK4 Industrial N-channel Power MOSFETs are single MOSFETs with a small 5mm x 6mm footprint, ideal for compact designs. These devices feature a low drain-to-source on-resistance to minimize conduction losses and low gate charge and capacitance to minimize driver losses. These industrial-grade power MOSFETs are Pb-free, RoHS-compliant, and feature a wide, -55°C to +175°C operating temperature range.

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Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Dp - Disipación de potencia

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 42A 14.5Ohm Single N-Channel

NTMYS014N06CLTWG
onsemi
1: $2.57
2,855En existencias

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NTMYS014N06CLTWG

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863-NTMYS014N06CLTWG

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 42A 14.5Ohm Single N-Channel

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Min.: 1
Mult.: 1

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SMD/SMT

LFPAK-4

N-Channel

1 Channel

60 V

36 A

15 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

9.7 nC

- 55 C

+ 175 C

37 W

Enhancement

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 140A 2.3Ohm Single N-Channel

NTMYS2D4N04CTWG
onsemi
1: $3.21
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$2.05

$1.40

$1.19

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: 3,000

SMD/SMT

LFPAK-4

N-Channel

1 Channel

40 V

138 A

2.3 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

32 nC

- 55 C

+ 175 C

83 W

Enhancement

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 7.3 mOhm 52A Single N-Channel

NTMYS7D3N04CLTWG
onsemi
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NTMYS7D3N04CLTWG

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863-NTMYS7D3N04CLTWG

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$1.19

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: 3,000

SMD/SMT

LFPAK-4

N-Channel

1 Channel

40 V

52 A

7.3 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

7 nC

- 55 C

+ 175 C

38 W

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 49A 8.1Ohm Single N-Channel

NTMYS8D0N04CTWG
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$1.12

$0.92

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$0.77

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Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

LFPAK-4

N-Channel

1 Channel

40 V

49 A

8.1 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

10 nC

- 55 C

+ 175 C

38 W

Enhancement

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 27.5 mOhm 21A Single N-Channel

NTMYS025N06CLTWG
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NTMYS025N06CLTWG

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863-NTMYS025N06CLTWG

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$1.64

$1.10

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Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

LFPAK-4

N-Channel

1 Channel

60 V

21 A

27.5 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

2.7 nC

- 55 C

+ 175 C

24 W

Enhancement

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 12 mOhm 35A Single N-Channel

NTMYS011N04CTWG
onsemi
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NTMYS011N04CTWG

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863-NTMYS011N04CTWG

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$1.09

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LFPAK-4

N-Channel

1 Channel

40 V

35 A

12 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

7.9 nC

- 55 C

+ 175 C

28 W

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 26A 21Ohm

NTMYS021N06CLTWG
onsemi
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826En existencias
3,000Se espera el 22/06/2026

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NTMYS021N06CLTWG

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863-NTMYS021N06CLTWG

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826En existencias

3,000Se espera el 22/06/2026

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$2.51

$1.60

$1.07

$0.848

$0.735

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$0.681

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Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

LFPAK-4

N-Channel

1 Channel

60 V

27 A

21 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

5 nC

- 55 C

+ 175 C

28 W

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 5.3 mOhm 71A Single N-Channel

NTMYS5D3N04CTWG
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NTMYS5D3N04CTWG

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SMD/SMT

LFPAK-4

N-Channel

1 Channel

40 V

71 A

5.3 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

16 nC

- 55 C

+ 175 C

50 W

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