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NTMTS002N10MCTXG

Name: onsemi NTMTS002N10MCTXG
Brand: onsemi
SKU: 863-NTMTS002N10MCTXG
Price: 9.62 USD
Availability: InStock

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Mouser N.º:

863-NTMTS002N10MCTXG

Fabricante N.º:

NTMTS002N10MCTXG

Fabricante:

onsemi

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PTNG 100V SINGLE NCH PQFN8X8 STD CLIP 2.0 MOHMS MAX

Hoja de datos:

NTMTS002N10MCTXG Hoja de datos

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	$4.67	$14,010.00

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	onsemi
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
REACH - SVHC:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	TDFNW-8
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	100 V
Id - Corriente de drenaje continua:	236 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	5.3 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	4 V
Qg - Carga de puerta:	89 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Dp - Disipación de potencia :	255 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	onsemi
Configuración:	SIngle
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	PH
Tiempo de caída:	26 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	180 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	19 ns
Serie:	NTMTS002N10MC
Cantidad de empaque de fábrica:	3000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	59 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	29 ns

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NTMTS002N10MCTXG Hoja de datos

PCN

Material Composition Disclosure

USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

NTMTS002N10MC Single N-Channel Power MOSFETs

onsemi NTMTS002N10MC Single N-Channel Power MOSFETs are crafted using the advanced Power Trench process featuring Shielded Gate technology. The onsemi NTMTS002N10MC MOSFETs have a compact 8mm x 8mm footprint and enable space-efficient designs. The devices' low R_DS(on) ensures minimal conduction losses, while low Q_G and capacitance reduce driver losses, ensuring superior switching performance. Encased in the Power 88 package, these MOSFETs are Pb-free and RoHS-compliant, aligning with modern environmental standards.