Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET 650V 110mOhms DTMOS-VI
TK110N65Z,S1F
Toshiba
1:
$9.76
432 En existencias
N.º de artículo de Mouser 757-TK110N65ZS1F
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET 650V 110mOhms DTMOS-VI
432 En existencias
1
$9.76
10
$5.17
120
$4.77
510
$4.26
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
Si
Through Hole
TO-247-3
N-Channel
1 Channel
650 V
24 A
110 mOhms
- 30 V, 30 V
4 V
40 nC
- 55 C
+ 150 C
190 W
Enhancement
Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET 650V 125mOhms DTMOS-VI
TK125V65Z,LQ
Toshiba
1:
$8.78
7,156 En existencias
N.º de artículo de Mouser 757-TK125V65ZLQ
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET 650V 125mOhms DTMOS-VI
7,156 En existencias
1
$8.78
10
$5.93
100
$4.37
1,000
$4.34
2,500
$3.55
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :2,500
Detalles
Si
SMD/SMT
DFN-8
N-Channel
1 Channel
650 V
24 A
125 mOhms
- 30 V, 30 V
4 V
40 nC
- 55 C
+ 150 C
190 W
Enhancement
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET 650V 170mOhms DTMOS-VI
TK170V65Z,LQ
Toshiba
1:
$7.09
4,720 En existencias
N.º de artículo de Mouser 757-TK170V65ZLQ
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET 650V 170mOhms DTMOS-VI
4,720 En existencias
1
$7.09
10
$4.73
100
$3.39
500
$3.28
1,000
$3.06
2,500
$3.06
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :2,500
Detalles
Si
SMD/SMT
DFN-8
N-Channel
1 Channel
650 V
18 A
170 mOhms
- 30 V, 30 V
4 V
29 nC
- 55 C
+ 150 C
150 W
Enhancement
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET 650V 155mOhms DTMOS-VI
TK155A65Z,S4X
Toshiba
1:
$6.12
76 En existencias
N.º de artículo de Mouser 757-TK155A65ZS4X
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET 650V 155mOhms DTMOS-VI
76 En existencias
1
$6.12
10
$3.17
100
$2.87
500
$2.61
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
650 V
18 A
155 mOhms
- 30 V, 30 V
4 V
23 nC
- 55 C
+ 150 C
40 W
Enhancement
Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET 650V 190mOhms DTMOS-VI
TK190A65Z,S4X
Toshiba
1:
$5.46
96 En existencias
N.º de artículo de Mouser 757-TK190A65ZS4X
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET 650V 190mOhms DTMOS-VI
96 En existencias
1
$5.46
10
$2.81
100
$2.54
500
$2.25
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
650 V
15 A
190 mOhms
- 30 V, 30 V
4 V
25 nC
- 55 C
+ 150 C
40 W
Enhancement
Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET 650V 110mOhms DTMOS-VI
TK110A65Z,S4X
Toshiba
1:
$7.63
N/A
N.º de artículo de Mouser 757-TK110A65ZS4X
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET 650V 110mOhms DTMOS-VI
N/A
1
$7.63
10
$4.04
100
$3.68
500
$3.52
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
650 V
24 A
110 mOhms
- 30 V, 30 V
4 V
40 nC
- 55 C
+ 150 C
45 W
Enhancement
Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET 650V 210mOhms DTMOS-VI
TK210V65Z,LQ
Toshiba
2,500:
$2.68
No en existencias
N.º de artículo de Mouser 757-TK210V65ZLQ
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET 650V 210mOhms DTMOS-VI
No en existencias
Comprar
Min.: 2,500 Mult.: 2,500
Carrete :2,500
Detalles
Si
SMD/SMT
DFN-8
N-Channel
1 Channel
650 V
15 A
210 mOhms
- 30 V, 30 V
4 V
25 nC
- 55 C
+ 150 C
130 W
Enhancement
Reel
México