Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Semi Power MOSFETs

Toshiba Semi Power MOSFETs are designed with advanced technologies, achieving low R_ON characteristics. The Semi Power MOSFETs are very compact and thin at 2 x 2mm and 2.9 x 2.8mm, offering the low loss and compact size MOSFETs required for battery-powered devices such as smartphones and wearable devices.

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Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=6A VDSS=100V

SSM6K341NU,LF
Toshiba
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=6A VDSS=100V

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SMD/SMT

UDFN-6

N-Channel

1 Channel

60 V

6 A

28 mOhms

- 20 V, 20 V

1.5 V

9.3 nC

- 55 C

+ 150 C

1.25 W

Enhancement

U-MOSVIII-H

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SM Sig N-CH MOS 30V 6A 20V VGSS

SSM3K333R,LF
Toshiba
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SSM3K333R,LF

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N-Channel

1 Channel

AEC-Q100

U-MOSVII-H

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SSM3K345R,LF
Toshiba
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SMD/SMT

SOT-23F-3

N-Channel

1 Channel

20 V

4 A

25 mOhms

- 8 V, 8 V

400 mV

3.6 nC

- 55 C

+ 150 C

2 W

Enhancement

U-MOSVI

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal MOSFET V=30V, I-10A

SSM6J507NU,LF
Toshiba
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SMD/SMT

UDFN-6

P-Channel

1 Channel

30 V

10 A

20 mOhms

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1 V

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+ 150 C

2.5 W

Enhancement

U-MOSVI

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Low ON Resistane Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

SSM6K513NU,LF
Toshiba
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SMD/SMT

UDFN-6

N-Channel

1 Channel

30 V

15 A

6.5 mOhms

- 20 V, 20 V

1.1 V

7.5 nC

- 55 C

+ 150 C

2.5 W

Enhancement

U-MOSIX-H

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=4A VDSS=30V

SSM6N67NU,LF
Toshiba
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SSM6N67NU,LF

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SMD/SMT

UDFN-6

N-Channel

2 Channel

30 V

4 A

39.1 mOhms

- 8 V, 12 V

400 mV

3.2 nC

- 55 C

+ 150 C

1 W

Enhancement

AEC-Q101

U-MOSVII-H

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SSM3J378R,LF
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SSM3J378R,LF

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757-SSM3J378RLF

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SMD/SMT

SOT-23F-3

P-Channel

1 Channel

20 V

6 A

29.8 mOhms

- 8 V, 6 V

1 V

12.8 nC

+ 150 C

2 W

Enhancement

AEC-Q101

U-MOSVI

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SSM6K361NU,LF
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UDFN-6

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1 Channel

100 V

3.5 A

51 mOhms

- 20 V, 20 V

1.5 V

3.2 nC

- 55 C

+ 150 C

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U-MOSVIII-H

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SSM6J511NU,LF
Toshiba
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17,054Se espera el 13/02/2026

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SSM6J511NU,LF

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757-SSM6J511NULF

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UDFN-6

P-Channel

1 Channel

12 V

14 A

6.5 mOhms

- 10 V, 10 V

1 V

47 nC

- 55 C

+ 150 C

1.25 W

Enhancement

U-MOSVII

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Low ON Resistane Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

SSM6K514NU,LF
Toshiba
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5,994Se espera el 16/02/2026

N.º de artículo del Fabricante
SSM6K514NU,LF

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757-SSM6K514NULF

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12 A

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- 55 C

+ 150 C

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