Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Paquete / Cubierta

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Dp - Disipación de potencia

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 1.9A DPAK-2

IPD80R2K8CEATMA1
Infineon Technologies
1: $1.92
8,765En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPD80R2K8CEATMA1

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726-IPD80R2K8CEATMA1

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SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

800 V

1.9 A

2.8 Ohms

- 30 V, 30 V

3 V

12 nC

- 55 C

+ 150 C

42 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 3.9A DPAK-2

IPD80R1K4CEATMA1
Infineon Technologies
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SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

800 V

3.9 A

1.4 Ohms

- 30 V, 30 V

3 V

23 nC

- 55 C

+ 150 C

63 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPA80R1K0CEXKSA2
Infineon Technologies
1: $2.89
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TO-220-3

N-Channel

1 Channel

800 V

5.7 A

2.19 Ohms

- 20 V, 20 V

3 V

31 nC

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+ 150 C

32 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

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IPA80R310CEXKSA2
Infineon Technologies
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NRND

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TO-220-3

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1 Channel

800 V

16.7 A

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- 20 V, 20 V

2.1 V

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Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPA80R460CEXKSA2
Infineon Technologies
1: $3.99
239En existencias
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IPA80R460CEXKSA2

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726-IPA80R460CEXKSA2

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TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

10.8 A

460 mOhms

- 20 V, 20 V

2.1 V

64 nC

- 40 C

+ 150 C

34 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 5.7A DPAK-2

IPD80R1K0CEATMA1
Infineon Technologies
1: $2.61
2,102En existencias
NRND

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IPD80R1K0CEATMA1

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726-IPD80R1K0CEATMA1

NRND

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SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

800 V

5.7 A

950 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

31 nC

- 55 C

+ 150 C

83 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPA80R1K4CEXKSA2
Infineon Technologies
1: $2.46
121En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPA80R1K4CEXKSA2

N.º de artículo de Mouser
726-IPA80R1K4CEXKSA2

NRND

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$2.46

$1.43

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TO-220-3

N-Channel

1 Channel

800 V

3.9 A

1.22 Ohms

- 20 V, 20 V

2.1 V

23 nC

- 40 C

+ 150 C

31 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPN70R1K5CEATMA1
Infineon Technologies
1: $0.585
2,336En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPN70R1K5CEATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPN70R1K5CEATMA1

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

Hoja de datos

2,336En existencias

Cinta cortada

$0.585

$0.543

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Envase tipo carrete

$0.276

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Carrete: 3,000

SMD/SMT

SOT-223-3

N-Channel

1 Channel

700 V

5.4 A

3.51 Ohms

- 20 V, 20 V

2.5 V

10.5 nC

- 40 C

+ 150 C

5 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPA80R650CEXKSA2
Infineon Technologies
1: $3.46
107En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPA80R650CEXKSA2

N.º de artículo de Mouser
726-IPA80R650CEXKSA2

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

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107En existencias

$3.46

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Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

800 V

5.7 A

2.19 Ohms

- 20 V, 20 V

3 V

45 nC

- 40 C

+ 150 C

32 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPD70R1K4CEAUMA1
Infineon Technologies
1: $1.40
1,186En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPD70R1K4CEAUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD70R1K4CEAUMA1

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

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1,186En existencias

Cinta cortada

$1.40

$0.879

$0.577

$0.446

Envase tipo carrete

$0.341

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Carrete: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

700 V

5.4 A

1.4 Ohms

- 20 V, 20 V

3 V

10.5 nC

- 40 C

+ 150 C

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