Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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SQJ Automotive MOSFETs

Vishay / Siliconix SQJ Automotive MOSFETs are TrenchFET^®Gen IV N-Channel 40V_DS power MOSFETs. These AEC-Q101 qualified MOSFETs are 100% R_g and Unclamped Inductive Switching (UIS) tested with less-than 1 Q_gd/Q_gs ratio that optimizes the switching characteristics. The Vishay / Siliconix SQJ Automotive MOSFETs offer very low R_DS(on) and operate within the -55°C to 175°C temperature range. These automotive-grade MOSFETs are available in a PowerPAK^® SO-8L package with single/dual configurations. Typical applications include automotive, engine management, motor drives and actuators, and battery management.

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Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual 60V PowerPAK AEC-Q101 Qualified

SQJ958EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
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Vishay / Siliconix

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SMD/SMT

PowerPAK-SO-8-4

N-Channel

2 Channel

60 V

40 A

29.1 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

15 nC

- 55 C

+ 175 C

35 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 80-V (D-S) 175C MOSFET

SQJ182EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
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$3.00

$1.92

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SMD/SMT

SO-8

N-Channel

1 Channel

80 V

210 A

5 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

64 nC

- 55 C

+ 175 C

395 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

SQJ443EP-T2_GE3
Vishay / Siliconix
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TrenchFET

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SQJ160EP-T1_GE3
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Vishay Semiconductors

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SMD/SMT

SO-8

N-Channel

1 Channel

60 V

362 A

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- 20 V, 20 V

3.5 V

79 nC

- 55 C

+ 175 C

500 W

Enhancement

AEC-Q101

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DUAL N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFE

SQJ740EP-T1_GE3
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SMD/SMT

PowerPAK SO-8

N-Channel

2 Channel

40 V

123 A

3.4 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

37 nC

- 55 C

+ 175 C

93 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Channel 60V AEC-Q101 Qualified

SQJ992EP-T1_GE3
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SMD/SMT

PowerPAK-SO-8-4

N-Channel

2 Channel

60 V

15 A

47 mOhms, 47 mOhms

- 20 V, 20 V

1.5 V

12 nC

- 55 C

+ 175 C

34 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

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SQJ162EP-T1_GE3
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SMD/SMT

PowerPAK SO-8

N-Channel

1 Channel

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166 A

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- 20 V, 20 V

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51 nC

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+ 175 C

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Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PowerPAK SO-8L

SQJ570EP-T1_BE3
Vishay Semiconductors
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2,980Se espera el 25/03/2026
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SMD/SMT

PowerPAK-SO-8L-6

N-Channel, P-Channel

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100 V, 100 V

15 A, 9.5 A

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- 20 V, 20 V

2.5 V, 2.5 V

15 nC, 20 nC

- 55 C

+ 175 C

27 W

Enhancement

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 100V(D-S)

SQJ488EP-T2_BE3
Vishay / Siliconix
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 100V(D-S)

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PowerPAK-SO-8-4

N-Channel

1 Channel

100 V

42 A

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27 W

Enhancement

TrenchFET

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFET

SQJ118EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFET

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$0.61

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SMD/SMT

SO-8

N-Channel

1 Channel

100 V

38 A

19.7 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

31 nC

- 55 C

+ 175 C

500 W

Enhancement

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DUAL N-CHANNEL 12-V (D-S) 175C MOSFE

SQJ202EP-T2_GE3
Vishay / Siliconix
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Reel

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SQJ244EP-T1_BE3
Vishay General Semiconductor
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78-SQJ244EP-T1_BE3

Vishay General Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DUAL N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFETS

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SMD/SMT

PowerPAK SO-8

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20 A, 60 A

15 mOhms, 6 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

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+ 175 C

27 W, 48 W

Enhancement

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DUAL N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFE

SQJ260EP-T1_BE3
Vishay
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Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DUAL N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFE

SQJ262EP-T1_BE3
Vishay
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SMD/SMT

SO-8

N-Channel

1 Channel

60 V, 60 V

15 A, 40 A

35.5 mOhms, 15.5 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V, 2.5 V

6.5 nC, 14.5 nC

- 55 C

+ 175 C

27 W, 48 W

Enhancement

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET

SQJ407EP-T1_BE3
Vishay
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SQJ407EP-T1_BE3

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78-SQJ407EP-T1_BE3

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) RECOMMENDED ALT SQJ4

SQJ412EP-T2_GE3
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SQJ412EP-T2_GE3

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78-SQJ412EP-T2_GE3

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) RECOMMENDED ALT SQJ4

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SMD/SMT

PowerPAK-SO-8

N-Channel

1 Channel

40 V

32 A

4.1 mOhms

- 20 V, 20 V

1.5 V

120 nC

- 55 C

+ 175 C

83 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PowerPAK SO-8L

SQJ415EP-T1_BE3
Vishay Semiconductors
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SQJ415EP-T1_BE3

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PowerPAK SO-8L

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SMD/SMT

PowerPAK-SO-8L-5

P-Channel

1 Channel

40 V

30 A

14 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

95 nC

- 55 C

+ 175 C

45 W

Enhancement

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFET

SQJ416EP-T1_BE3
Vishay
3,000: $0.48
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SQJ416EP-T1_BE3

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78-SQJ416EP-T1_BE3

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFET

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$0.48

$0.477

$0.46

$0.459

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Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFET

SQJ418EP-T1_BE3
Vishay
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SQJ418EP-T1_BE3

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78-SQJ418EP-T1_BE3

Vishay

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFET

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$0.603

$0.562

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8L

SQJ418EP-T2_GE3
Vishay / Siliconix
1: $2.08
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SQJ418EP-T2_GE3

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78-SQJ418EP-T2_GE3

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8L

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$0.884

$0.724

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SMD/SMT

PowerPAK-SO-8

N-Channel

1 Channel

100 V

48 A

14 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

35 nC

- 55 C

+ 175 C

68 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

SQJ420EP-T1_BE3
Vishay
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SQJ420EP-T1_BE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJ420EP-T1_BE3

Vishay

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

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$1.81

$1.13

$0.753

$0.592

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Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) RECOMMENDED ALT SQJ4

SQJ431EP-T2_GE3
Vishay / Siliconix
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SQJ431EP-T2_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJ431EP-T2_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) RECOMMENDED ALT SQJ4

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$1.07

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Mult.: 3,000

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SMD/SMT

PowerPAK-SO-8

P-Channel

1 Channel

200 V

12 A

213 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

106 nC

- 55 C

+ 175 C

83 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET

SQJ433EP-T1_BE3
Vishay
3,000: $0.702
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SQJ433EP-T1_BE3

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78-SQJ433EP-T1_BE3

Vishay

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET

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$0.702

$0.66

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Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

SQJ443AEP-T1_BE3
Vishay
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SQJ443AEP-T1_BE3

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78-SQJ443AEP-T1_BE3

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Vishay

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

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$0.397

$0.386

$0.371

$0.369

Min.: 3,000
Mult.: 3,000

Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK SO-8L

P-Channel

1 Channel

40 V

40 A

8.1 mOhms

- 10 V, 10 V

2 V

38 nC

- 55 C

+ 175 C

83 W

Enhancement

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

SQJ444EP-T1_BE3
Vishay
3,000: $0.666
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N.º de artículo del Fabricante
SQJ444EP-T1_BE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJ444EP-T1_BE3

Vishay

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

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$0.666

$0.623

$0.621

Min.: 3,000
Mult.: 3,000

Carrete: 3,000

Reel

SQJ Automotive MOSFETs

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

8 A
9.4 A
12 A
13 A
15 A
15 A, 18 A
15 A, 40 A
15 A, 45 A
15 A, 9.5 A
16 A
17 A
17 A, 34 A
19.6 A
20 A, 54 A
20 A, 60 A
21 A
23 A
23.5 A
24 A
24.5 A

940 uOhms
1.12 mOhms
1.158 mOhms
1.5 mOhms
1.7 mOhms
1.74 mOhms
1.8 mOhms
2 mOhms
2.14 mOhms
2.5 mOhms
2.6 mOhms
2.8 mOhms
2.9 mOhms
3 mOhms
3 mOhms, 8.3 mOhms
3.25 mOhms
3.4 mOhms
3.5 mOhms
3.6 mOhms
3.7 mOhms

6.5 nC, 14.5 nC
9 nC, 12 nC
10 nC
12 nC
12 nC, 25 nC
13 nC, 28.5 nC
14 nC
15 nC
15 nC, 20 nC
15 nC, 30 nC
17 nC
18 nC
18 nC, 43 nC
18.5 nC
19 nC
19.7 nC, 33.8 nC
20 nC
20 nC, 45 nC
20 nC, 48 nC
20 nC, 50 nC

17 W, 48 W
25 W
27 W
27 W, 27 W
27 W, 48 W
29.4 W
34 W
35 W
42 W
43 W, 48 W
45 W
46 W
48 W
55 W
56 W
60 W
65 W
66 W
68 W
75 W