Amplificador de RF Airfast RF Power Integrated Power Amplifier, 25 W Pulse over 2400-3100 MHz, 32 V
AFIC31025GNR1
NXP Semiconductors
500:
$83.03
Plazo de entrega no en existencias 10 Semanas
N.º de artículo de Mouser
771-AFIC31025GNR1
NXP Semiconductors
Amplificador de RF Airfast RF Power Integrated Power Amplifier, 25 W Pulse over 2400-3100 MHz, 32 V
Plazo de entrega no en existencias 10 Semanas
Comprar
Min.: 500
Mult.: 500
Detalles
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Airfast RF Power LDMOS Transistor, 700 W Pulse over 960-1215 MHz, 52 V
AFV10700GSR5
NXP Semiconductors
50:
$1,045.51
Plazo de entrega no en existencias 10 Semanas
N.º de artículo de Mouser
771-AFV10700GSR5
NXP Semiconductors
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Airfast RF Power LDMOS Transistor, 700 W Pulse over 960-1215 MHz, 52 V
Plazo de entrega no en existencias 10 Semanas
Comprar
Min.: 50
Mult.: 50
Detalles
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Power LDMOS Transistor, 300 W CW over 1.8-250 MHz, 50 V
MRF300BN
NXP Semiconductors
240:
$89.77
Plazo de entrega no en existencias 10 Semanas
N.º de artículo de Mouser
771-MRF300BN
NXP Semiconductors
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Power LDMOS Transistor, 300 W CW over 1.8-250 MHz, 50 V
Plazo de entrega no en existencias 10 Semanas
Comprar
Min.: 240
Mult.: 240
Detalles
Amplificador de RF Airfast RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifier, 575-1300 MHz, 4 W AVG., 48 V
A2I09VD030GNR1
NXP Semiconductors
500:
$49.26
Plazo de entrega no en existencias 10 Semanas
N.º de artículo de Mouser
841-A2I09VD030GNR1
NXP Semiconductors
Amplificador de RF Airfast RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifier, 575-1300 MHz, 4 W AVG., 48 V
Plazo de entrega no en existencias 10 Semanas
Comprar
Min.: 500
Mult.: 500
Detalles
Amplificador de RF 978-1090 MHz, 250 W Peak, 50 V
AFIC10275GNR1
NXP Semiconductors
500:
$474.10
Plazo de entrega no en existencias 10 Semanas
N.º de artículo de Mouser
841-AFIC10275GNR1
NXP Semiconductors
Amplificador de RF 978-1090 MHz, 250 W Peak, 50 V
Plazo de entrega no en existencias 10 Semanas
Comprar
Min.: 500
Mult.: 500
Detalles
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) MV9 55W 12.5V TO270WB4
AFT09MP055NR1
NXP Semiconductors
500:
$40.91
Plazo de entrega no en existencias 10 Semanas
N.º de artículo de Mouser
841-AFT09MP055NR1
NXP Semiconductors
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) MV9 55W 12.5V TO270WB4
Plazo de entrega no en existencias 10 Semanas
Embalaje alternativo
Comprar
Min.: 500
Mult.: 500
Detalles
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) MV9 800MHZ13.6V
AFT09MS031GNR1
NXP Semiconductors
500:
$29.76
Plazo de entrega no en existencias 10 Semanas
N.º de artículo de Mouser
841-AFT09MS031GNR1
NXP Semiconductors
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) MV9 800MHZ13.6V
Plazo de entrega no en existencias 10 Semanas
Embalaje alternativo
Comprar
Min.: 500
Mult.: 500
Detalles
Amplificador de RF HV8IC 70W TO270WBL16
MD8IC970NR1
NXP Semiconductors
500:
$66.68
Plazo de entrega no en existencias 10 Semanas
N.º de artículo de Mouser
841-MD8IC970NR1
NXP Semiconductors
Amplificador de RF HV8IC 70W TO270WBL16
Plazo de entrega no en existencias 10 Semanas
Embalaje alternativo
Comprar
Min.: 500
Mult.: 500
Detalles
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Wideband RF Power LDMOS Transistors, 1.8-500 MHz, 1500 W CW, 50 V
MRF1K50GNR5
NXP Semiconductors
50:
$368.33
Plazo de entrega no en existencias 10 Semanas
N.º de artículo de Mouser
841-MRF1K50GNR5
NXP Semiconductors
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Wideband RF Power LDMOS Transistors, 1.8-500 MHz, 1500 W CW, 50 V
Plazo de entrega no en existencias 10 Semanas
Comprar
Min.: 50
Mult.: 50
Detalles
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) VHV6 250W 50V NI780H
MRF6V12250HR5
NXP Semiconductors
50:
$872.14
Plazo de entrega no en existencias 10 Semanas
N.º de artículo de Mouser
841-MRF6V12250HR5
NXP Semiconductors
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) VHV6 250W 50V NI780H
Plazo de entrega no en existencias 10 Semanas
Comprar
Min.: 50
Mult.: 50
Detalles
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) VHV6 1400MHZ 50V
MRF6V14300HSR5
NXP Semiconductors
50:
$760.07
Plazo de entrega no en existencias 10 Semanas
N.º de artículo de Mouser
841-MRF6V14300HSR5
NXP Semiconductors
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) VHV6 1400MHZ 50V
Plazo de entrega no en existencias 10 Semanas
Comprar
Min.: 50
Mult.: 50
Detalles
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) VHV6 1.25KW ISM NI1230H
MRFE6VP61K25HR6
NXP Semiconductors
150:
$422.18
Plazo de entrega no en existencias 10 Semanas
N.º de artículo de Mouser
841-MRFE6VP61K25HR6
NXP Semiconductors
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) VHV6 1.25KW ISM NI1230H
Plazo de entrega no en existencias 10 Semanas
Embalaje alternativo
Comprar
Min.: 150
Mult.: 150
Detalles
Amplificador de RF Airfast RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifier, 978-1090 MHz, 250 W Peak, 50 V
AFIC10275NR5
NXP Semiconductors
50:
$538.06
Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas
N.º de artículo de Mouser
771-AFIC10275NR5
NXP Semiconductors
Amplificador de RF Airfast RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifier, 978-1090 MHz, 250 W Peak, 50 V
Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas
Comprar
Min.: 50
Mult.: 50
Detalles
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Power LDMOS Transistor for Consumer and Commercial Cooking, 1.8-50 MHz, 300 W CW, 50 V
MHT1803A
NXP Semiconductors
240:
$37.19
Plazo de entrega no en existencias 14 Semanas
N.º de artículo de Mouser
771-MHT1803A
NXP Semiconductors
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Power LDMOS Transistor for Consumer and Commercial Cooking, 1.8-50 MHz, 300 W CW, 50 V
Plazo de entrega no en existencias 14 Semanas
Comprar
Min.: 240
Mult.: 240
Amplificador de RF A3G26D055N 2400-2500 MHz Reference Circuit
NXP Semiconductors A3G26D055N-2400
A3G26D055N-2400
NXP Semiconductors
1:
$716.50
Plazo de entrega no en existencias 1 semana
N.º de artículo de Mouser
771-A3G26D055N-2400
NXP Semiconductors
Amplificador de RF A3G26D055N 2400-2500 MHz Reference Circuit
Plazo de entrega no en existencias 1 semana
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Airfast RF Power LDMOS Transistor, 12 W CW over 136 to 941 MHz, 7.5 V
NXP Semiconductors AFM912NT1
AFM912NT1
NXP Semiconductors
1,000:
$5.64
Plazo de entrega no en existencias 12 Semanas
N.º de artículo de Mouser
771-AFM912NT1
NXP Semiconductors
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Airfast RF Power LDMOS Transistor, 12 W CW over 136 to 941 MHz, 7.5 V
Plazo de entrega no en existencias 12 Semanas
Comprar
Min.: 1,000
Mult.: 1,000
Detalles
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) AFT05MP075N-54M
NXP Semiconductors AFT05MP075N-54M
AFT05MP075N-54M
NXP Semiconductors
1:
$1,321.87
Plazo de entrega no en existencias 1 semana
N.º de artículo de Mouser
771-AFT05MP075N54M
NXP Semiconductors
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) AFT05MP075N-54M
Plazo de entrega no en existencias 1 semana
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) AFT05MS004-200M
NXP Semiconductors AFT05MS004-200M
AFT05MS004-200M
NXP Semiconductors
1:
$620.89
Plazo de entrega no en existencias 1 semana
N.º de artículo de Mouser
771-AFT05MS004200M
NXP Semiconductors
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) AFT05MS004-200M
Plazo de entrega no en existencias 1 semana
1
$620.89
10
$540.24
25
$519.65
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) AFT27S006N-1000M
NXP Semiconductors AFT27S006N-1000M
AFT27S006N-1000M
NXP Semiconductors
1:
$1,574.83
Plazo de entrega no en existencias 1 semana
N.º de artículo de Mouser
771-AFT27S006N1000M
NXP Semiconductors
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) AFT27S006N-1000M
Plazo de entrega no en existencias 1 semana
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) MV9 55W 12.5V TO270WB4G
NXP Semiconductors AFT09MP055GNR1
AFT09MP055GNR1
NXP Semiconductors
500:
$45.33
Plazo de entrega no en existencias 10 Semanas
N.º de artículo de Mouser
841-AFT09MP055GNR1
NXP Semiconductors
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) MV9 55W 12.5V TO270WB4G
Plazo de entrega no en existencias 10 Semanas
Embalaje alternativo
Comprar
Min.: 500
Mult.: 500
Detalles
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Airfast RF Power LDMOS Transistor, 1000 W Peak, 960-1215 MHz, 50 V
NXP Semiconductors AFV121KHR5
AFV121KHR5
NXP Semiconductors
50:
$1,832.60
Plazo de entrega no en existencias 10 Semanas
N.º de artículo de Mouser
841-AFV121KHR5
NXP Semiconductors
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Airfast RF Power LDMOS Transistor, 1000 W Peak, 960-1215 MHz, 50 V
Plazo de entrega no en existencias 10 Semanas
Comprar
Min.: 50
Mult.: 50
Detalles
Amplificador de RF Airfast RF LDMOS Integrated Power Amplifier, 1030-1090 MHz, 250 W Peak, 50 V
NXP Semiconductors MMRF2010GNR1
MMRF2010GNR1
NXP Semiconductors
500:
$736.98
Plazo de entrega no en existencias 10 Semanas
N.º de artículo de Mouser
841-MMRF2010GNR1
NXP Semiconductors
Amplificador de RF Airfast RF LDMOS Integrated Power Amplifier, 1030-1090 MHz, 250 W Peak, 50 V
Plazo de entrega no en existencias 10 Semanas
Comprar
Min.: 500
Mult.: 500
Detalles
Amplificador de RF Airfast RF LDMOS Integrated Power Amplifier, 1030-1090 MHz, 250 W Peak, 50 V
NXP Semiconductors MMRF2010NR1
MMRF2010NR1
NXP Semiconductors
500:
$647.93
Plazo de entrega no en existencias 10 Semanas
N.º de artículo de Mouser
841-MMRF2010NR1
NXP Semiconductors
Amplificador de RF Airfast RF LDMOS Integrated Power Amplifier, 1030-1090 MHz, 250 W Peak, 50 V
Plazo de entrega no en existencias 10 Semanas
Comprar
Min.: 500
Mult.: 500
Detalles
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) VHV6 1KW 50V NI1230H
NXP Semiconductors MRF6VP121KHR5
MRF6VP121KHR5
NXP Semiconductors
50:
$1,242.06
Plazo de entrega no en existencias 10 Semanas
N.º de artículo de Mouser
841-MRF6VP121KHR5
NXP Semiconductors
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) VHV6 1KW 50V NI1230H
Plazo de entrega no en existencias 10 Semanas
Comprar
Min.: 50
Mult.: 50
Detalles
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) VHV6 1.25KW ISM NI1230GS
NXP Semiconductors MRFE6VP61K25GSR5
MRFE6VP61K25GSR5
NXP Semiconductors
1:
$563.78
Plazo de entrega no en existencias 10 Semanas
N.º de artículo de Mouser
841-MRFE6VP61K25GSR5
NXP Semiconductors
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) VHV6 1.25KW ISM NI1230GS
Plazo de entrega no en existencias 10 Semanas
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles