Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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SI73 TrenchFET® Power MOSFETs

Vishay Semiconductors SI73 TrenchFET^® Power MOSFETs are available in a new low thermal resistance PowerPAK^® package with a low 1.07mm profile. The TrenchFET^® Power MOSFETs are 100% R_g/UIS tested and halogen-free. These SI73 power MOSFETs are ideally used in DC/DC converters.

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Polaridad del transistor

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Dp - Disipación de potencia

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V 30A 5.4W 3.0mohm @10V

SI7336ADP-T1-E3
Vishay Semiconductors
1: $2.12
24,057En existencias

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SI7336ADP-T1-E3

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781-SI7336ADP-T1-E3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V 30A 5.4W 3.0mohm @10V

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SMD/SMT

PowerPAK-SO-8

N-Channel

1 Channel

30 V

30 A

3 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

36 nC

- 55 C

+ 150 C

5.4 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V 19A 5.0W 7.0mohm @ 10V

SI7386DP-T1-GE3
Vishay / Siliconix
1: $3.37
13,348En existencias

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SI7386DP-T1-GE3

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781-SI7386DP-T1-GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V 19A 5.0W 7.0mohm @ 10V

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$3.37

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$1.50

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SMD/SMT

PowerPAK-SO-8

N-Channel

1 Channel

30 V

19 A

7 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

11.5 nC

- 55 C

+ 150 C

5 W

Enhancement

TrenchFET

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SI7336ADP-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: $4.82
6,295En existencias

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SI7336ADP-T1-GE3

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781-SI7336ADP-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V 30A 5.4W 3.0mohm @ 10V

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$4.82

$2.94

$2.15

$1.78

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SMD/SMT

PowerPAK-SO-8

N-Channel

1 Channel

30 V

30 A

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- 20 V, 20 V

1 V

36 nC

- 55 C

+ 150 C

5.4 W

Enhancement

TrenchFET

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -60V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8

SI7309DN-T1-GE3
Vishay Semiconductors
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SI7309DN-T1-GE3

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781-SI7309DN-T1-GE3

Vishay Semiconductors

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PowerPAK-1212-8

P-Channel

1 Channel

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8 A

146 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

14.5 nC

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+ 150 C

19.8 W

Enhancement

TrenchFET

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SI7370DP-T1-GE3
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N-Channel

1 Channel

60 V

9.6 A

11 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

57 nC

- 55 C

+ 150 C

5.2 W

Enhancement

TrenchFET

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SI7370DP-T1-E3
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9.6 A

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SI7309DN-T1-E3
Vishay Semiconductors
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SMD/SMT

PowerPAK-1212-8

P-Channel

1 Channel

60 V

8 A

146 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

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19.8 W

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SI7386DP-T1-E3
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781-SI7386DP-T1-E3

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SI7315DN-T1-GE3
Vishay Semiconductors
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5,944Se espera el 01/10/2026

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SI7315DN-T1-GE3

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SI7370ADP-T1-GE3
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SI7370ADP-T1-GE3

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781-SI7370ADP-GE3

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SMD/SMT

PowerPAK-1212-8

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60 V

50 A

57 mOhms

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4 V

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- 55 C

+ 150 C

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SI7374DP-T1-E3
Vishay Semiconductors
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SI7374DP-T1-E3

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781-SI7374DP-T1-E3

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$1.85

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- 55 C

+ 150 C

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TrenchFET

Reel

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