Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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650V CoolMOS™ CFD7 SJ Power MOSFETs

Infineon Technologies 650V CoolMOS™ CFD7 SJ Power MOSFETs are ultra-fast diodes that extend the voltage class offering of the CFD7 family. The power MOSFETs have an additional 50V breakdown voltage, integrated fast body diode, improved switching performance, and excellent thermal behavior. These CFD7 power MOSFETs offer the highest efficiency in resonant switching topologies, such as LLC and phase-shift-full-bridge (ZVS). The MOSFETs blend all the advantages of a fast-switching technology with superior hard computation robustness. These power MOSFETs support CoolMOS™ CFD7 technology that meets reliability standards and supports high power density solutions.

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Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

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Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

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114 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

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1 Channel

650 V

36 A

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SMD/SMT

D2PAK-2 (TO-263-2)

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SMD/SMT

D2PAK-2 (TO-263-2)

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Enhancement

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Enhancement

Tube

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Enhancement

Tube

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63 W

Enhancement

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1,000Se espera el 16/02/2026

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SMD/SMT

N-Channel

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15 A

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77 W

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650 V

50 A

41 mOhms

- 20 V, 20 V

4.5 V

102 nC

- 55 C

+ 150 C

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IPP65R060CFD7XKSA1
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4.5 V

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69 A

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+ 150 C

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1: $6.50
94En existencias

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IPW65R125CFD7XKSA1

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700 V

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IPZA65R035CFD7AXKSA1
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1: $15.60
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63 A

35 mOhms

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145 nC

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPW65R090CFD7XKSA1
Infineon Technologies
1: $7.50
Plazo de entrega no en existencias 17 Semanas

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IPW65R090CFD7XKSA1

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726-W65R090CFD7XKSA1

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$7.50

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$4.58

$4.07

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TO-247-3

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650 V

25 A

90 mOhms

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