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MMBT3904T RSG

Name: Taiwan Semiconductor MMBT3904T RSG
Brand: Taiwan Semiconductor
SKU: 821-MMBT3904TRSG
Price: 0.28 USD
Availability: InStock

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Mouser N.º:

821-MMBT3904TRSG

Fabricante N.º:

MMBT3904T RSG

Fabricante:

Taiwan Semiconductor

Descripción:

Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) 60V, 0.2A, NPN Bipolar Transistor

Hoja de datos:

MMBT3904T RSG Hoja de datos

Modelo ECAD:

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	$0.07	$70.00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)
	$0.057	$171.00
	$0.051	$306.00
	$0.042	$378.00
	$0.04	$960.00

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Taiwan Semiconductor
Categoría de producto:	Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	SOT-523-3
Polaridad del transistor:	NPN
Configuración:	Single
Corriente CC máxima de colector:	200 mA
Máx. voltaje VCEO colector-emisor:	40 V
Tensión VCBO colector-base:	60 V
Voltaje VEBO emisor-base:	6 V
Voltaje de saturación colector-emisor:	300 mV
Dp - Disipación de potencia :	150 mW
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	Taiwan Semiconductor
Corriente continua del colector:	200 mA
Colector DC/Ganancia Base hfe Mínima:	30
Máx. ganancia de CC hFE:	300
Tipo de producto:	BJTs - Bipolar Transistors
Cantidad de empaque de fábrica:	3000
Subcategoría:	Transistors

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Códigos de cumplimiento

MXHTS:: 8541210100
CNHTS:: 8541210000
CAHTS:: 8541210000
USHTS:: 8541210075
JPHTS:: 854121000
KRHTS:: 8541219000
TARIC:: 8541210000
ECCN:: EAR99

Clasificaciones de origen

País de origen:: Taiwán
País de origen del ensamblaje:: No disponible
País de difusión:: No disponible

El país está sujeto a cambios en el momento del envío.

MMBT3904T NPN Bipolar Transistor

Taiwan Semiconductor MMBT3904T NPN Bipolar Transistor is an epitaxial planar type transistor with improved electrical conductivity. This transistor is designed with 60V of collector-to-base voltage (V_CBO), 40V of collector-to-emitter voltage (V_CEO), and 6V of emitter-to-base voltage (V_EBO). The MMBT3904T NPN transistor features a collector current of 200mA and a power dissipation (P_D) of 150mW. This transistor is halogen-free according to IEC 61249-2-21 standards and RoHS compliant. Some of the applications include consumer electronics, low-frequency amplifiers, and drivers.