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NXH400N100L4Q2F2SG

Name: onsemi NXH400N100L4Q2F2SG
Brand: onsemi
SKU: 863-H400N100L4Q2F2SG
Price: 245.73 USD
Availability: InStock

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Mouser N.º:

863-H400N100L4Q2F2SG

Fabricante N.º:

NXH400N100L4Q2F2SG

Fabricante:

onsemi

Descripción:

Módulos de semiconductores discretos ESS 200KW PIM SOLDER PIN

Hoja de datos:

NXH400N100L4Q2F2SG Hoja de datos

Modelo ECAD:

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	onsemi
Categoría de producto:	Módulos de semiconductores discretos
Producto:	IGBT-Diode Modules
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	Q2PACK
Temperatura de trabajo mínima:	- 40 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Serie:	NXH400N100L4Q2F2
Empaquetado:	Tray
Marca:	onsemi
Configuración:	Module
Dp - Disipación de potencia :	980 W
Tipo de producto:	Discrete Semiconductor Modules
Cantidad de empaque de fábrica:	12
Subcategoría:	Discrete and Power Modules

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Hoja de datos

NXH400N100L4Q2F2SG Hoja de datos

PCN

Material Composition Disclosure

MXHTS:: 8541299900
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

NXH400N100L4Q2F2 IGBT Modules

onsemi NXH400N100L4Q2F2 IGBT Modules contain an I-type neutral point clamped three-level inverter. The onsemi NXH400N100L4Q2F2 Modules leverage integrated field stop trench IGBTs and FRDs to minimize conduction and switching losses, ensuring exceptional efficiency and reliability. The modules feature a neutral point-clamped three-level inverter design and employ an extremely efficient trench with field stop technology for optimized performance. The devices' low inductive layout and package height further enhance efficiency and reliability while integrating a thermistor for temperature monitoring.