AFGHL50T65SQDC

onsemi
863-AFGHL50T65SQDC
AFGHL50T65SQDC

Fabricante:

Descripción:
IGBTs Hybrid iGBT 650V 50A FS4 with SiC-SBD

Modelo ECAD:
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Mínimo: 1   Múltiples: 1
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$7.59 $759.00
$7.31 $3,289.50
2,700 Presupuesto

Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
onsemi
Categoría de producto: IGBTs
RoHS:  
REACH - SVHC:
SiC
TO-247-3
Through Hole
Single
650 V
1.6 V
- 20 V, 20 V
100 A
268 W
- 55 C
+ 175 C
AFGHL50T65SQDC
AEC-Q101
Tube
Marca: onsemi
Máx. corriente continua Ic del colector: 100 A
Corriente de fuga puerta-emisor: 400 nA
Tipo de producto: IGBT Transistors
Cantidad de empaque de fábrica: 450
Subcategoría: IGBTs
Nombre comercial: EliteSiC
Peso de la unidad: 7.326 g
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Atributos seleccionados: 0

MXHTS:
8541299900
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
ECCN:
EAR99

AFGHL50T65SQDC Hybrid IGBT

onsemi AFGHL50T65SQDC Hybrid IGBT offers optimum performance with both low conduction and switching losses. The AFGHL50T65SQDC features 50A current and 650V collector to emitter voltage. The device is ideal for high-efficiency operations in various applications, specifically totem pole bridgeless PFC and inverters. The AFGHL50T65SQDC Hybrid IGBT is AEC-Q100 qualified for automotive applications.