Parece que JavaScript está deshabilitado en su navegador. Si no inicia sesión, algunas funciones en esta página no funcionarán.

Volver a resultados de la búsqueda

¿Vé algún error?

DMT2004UFDF-7

Name: Diodes Incorporated DMT2004UFDF-7
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 621-DMT2004UFDF-7
Price: 0.84 USD
Availability: InStock

Las imágenes son para referencia solamente
Ver especificaciones del producto

Mouser N.º:

621-DMT2004UFDF-7

Fabricante N.º:

DMT2004UFDF-7

Fabricante:

Diodes Incorporated

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 8V-24V

Hoja de datos:

DMT2004UFDF-7 Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

Descargue Library Loader gratis para convertir este archivo para su herramienta ECAD. Conozca más sobre el modelo ECAD.

Más información

Conozca más sobre Diodes Incorporated DMT2004UFDF-7

En existencias: 3,641

Existencias:: 3,641 Se puede enviar inmediatamente

Se ha producido un error inesperado. Vuelva a intentarlo más tarde.
Plazo de entrega de fábrica:: 24 Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica para cantidades superiores a las que se muestran.

Introducir cantidad:

Mínimo: 1 Múltiples: 1

Precio unitario:

$-.--

Precio ext.:

$-.--

Est. Tarifa:

Empaque:

Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)

Cinta cortada

MouseReel™ (+$7.00)

Precio (USD)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ ^†
	$0.845	$0.85
	$0.634	$6.34
	$0.436	$43.60
	$0.381	$190.50
	$0.345	$345.00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)
	$0.273	$819.00
	$0.264	$1,584.00
	$0.238	$2,142.00

† $7.00 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Diodes Incorporated
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	DFN-2020-6
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	24 V
Id - Corriente de drenaje continua:	14.1 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	4.8 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 12 V, 12 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	550 mV
Qg - Carga de puerta:	53.7 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	12.5 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	Diodes Incorporated
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	38.6 ns
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	9.6 ns
Cantidad de empaque de fábrica:	3000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	30.8 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	3.9 ns
Peso de la unidad:	6.750 mg

Productos encontrados:

Para mostrar productos similares, seleccione al menos una casilla de verificación

Seleccione al menos una de las casillas de verificación anteriores para mostrar productos similares en esta categoría.

Atributos seleccionados: 0

Filtrar documento:

Hoja de datos

DMT2004UFDF-7 Hoja de datos (PDF)

PCN

Environmental Compliance (PDF)

MXHTS:: 85412999
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

DMT2004UF N-Channel Enhancement Mode MOSFETs

Diodes Incorporated DMT2004UF MOSFET is a 24V N-Channel Enhancement-Mode MOSFET designed with a 0.6mm profile and 4mm² footprint. Qualified to AEC-Q101 Standards for High Reliability, the DMT2004UF MOSFET minimizes on-state resistance while maintaining excellent switching performance. The DMT2004UF MOSFET offers a 4.8-12.5mΩ on-state resistance, 0.55-1.45V gate threshold voltage, 11.2-14.1A continuous drain current, and 12.5W power dissipation. Switching performance includes a 38.6ns turn-off fall time, 9.6ns turn-on rise time, typical 30.8ns turn-off delay time, typical 3.9ns turn-on delay time, and 11.2ns recovery time. The 24V DMT2004UF N-Channel Enhancement-Mode MOSFET design makes the device ideal for high-efficiency power-management applications.

Power MOSFETs

Diodes Incorporated offers a broad range of Power MOSFETs, enabling designers to select a device optimized for their end application, thus enabling next generation consumer, computer and communication product designs. The Diodes portfolio is ideally suited to meeting the circuit requirements of DC-DC conversion, load switching, motor control, backlighting, battery protection, battery chargers, audio circuits, and automotive applications.

Gate Drivers

Diodes Incorporated Gate Drivers cover many applications in power systems and motor drives. These gate drivers act as the interface between the microcontroller and IGBT or MOSFET power switches. Diodes Incorporated gate drivers provide optimum drive characteristics while controlling shoot-through.

DMTx MOSFETs

Diodes Incorporated DMTx MOSFETs are N-channel enhancement mode MOSFETs with low on-resistance and fast switching. These MOSFETs are also designed to meet the stringent requirements of automotive applications. Diodes Incorporated DMTx MOSFETs are ideal for high-efficiency power management applications.