Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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StrongIRFET™ 2 Power MOSFETs in 30V

Infineon Technologies StrongIRFET™ 2 Power MOSFETs in 30V are optimized for low and high switching frequencies, enabling design flexibility. These devices offer high power efficiency for improved overall system performance while having excellent robustness. Increased current ratings allow for higher current-carrying capability, eliminating the need to parallel multiple devices, translating to lower BOM costs and board savings. Applications include switch-mode power supplies (SMPS), motor drives, battery-powered devices, battery management, uninterruptible power supplies (UPS), light electric vehicles, power tools, gardening tools, adapters, and consumer applications.

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) StrongIRFET 2 Power -Transistor, 30 V in DPAK

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SMD/SMT

TO-263-3

N-Channel

1 Channel

30 V

125 A

1.8 mOhms

- 20 V, 20 V

2.35 V

46 nC

- 55 C

+ 175 C

167 W

Enhancement

StrongIRFET

Reel, Cut Tape

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SMD/SMT

TO-263-3

N-Channel

1 Channel

30 V

122 A

2.05 mOhms

- 20 V, 20 V

2.35 V

33 nC

- 55 C

+ 175 C

136 W

Enhancement

StrongIRFET

Reel, Cut Tape

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SMD/SMT

TO-252-3

N-Channel

1 Channel

30 V

143 A

2.05 mOhms

- 20 V, 20 V

2.35 V

33 nC

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136 W

Enhancement

StrongIRFET

Reel, Cut Tape

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SMD/SMT

TO-252-3

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137 A

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- 20 V, 20 V

2.35 V

24 nC

- 55 C

+ 175 C

107 W

Enhancement

StrongIRFET

Reel, Cut Tape

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: 2,000

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TO-252-3

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99 A

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2.35 V

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- 55 C

+ 175 C

83 W

Enhancement

StrongIRFET

Reel, Cut Tape

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IPD040N03LF2SATMA1
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SMD/SMT

TO-252-3

N-Channel

1 Channel

30 V

73 A

4.05 mOhms

- 20 V, 20 V

2.35 V

13 nC

- 55 C

+ 175 C

75 W

Enhancement

StrongIRFET

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1 Channel

30 V

71 A

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- 20 V, 20 V

2.35 V

10 nC

- 55 C

+ 175 C

65 W

Enhancement

StrongIRFET

Reel, Cut Tape

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30 V

119 A

2.35 mOhms

- 20 V, 20 V

2.35 V

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- 55 C

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107 W

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