STAC RF DMOS Transistors

STMicroelectronics STAC RF DMOS Transistors are designed for applications ranging from 1MHz to 250MHz, such as FM broadcast, industrial, scientific and medical applications. STMicroelectronics RF DMOS transistors operate from a supply voltage of up to 300V. They feature high peak power (up to 1.2kW) and high ruggedness capability (infinite:1VSWR). The STAC air cavity features enhanced thermal behavior, improved RF performance and best-in-class reliability.

Resultados: 3
Seleccionar Imagen N.° de pieza
 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Polaridad del transistor
Tecnología
Id - Corriente de drenaje continua
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Frecuencia de trabajo
Ganancia
Potencia de salida
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Empaquetado
STMicroelectronics Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 300W 50V RF MOS 21dB 175MHz N-Ch
Hoja de datos
90En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

N-Channel Si 40 A 130 V 250 MHz 21 dB 350 W - 65 C + 150 C SMD/SMT STAC244B Bulk
STMicroelectronics Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) POWER R.F.
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 28 Semanas
Min.: 80
Mult.: 80

N-Channel Si 20 A 250 V 250 MHz 24.6 dB 580 W - 65 C + 150 C SMD/SMT STAC-244B Bulk
STMicroelectronics Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 300W 50V RF MOS 26dB 123MHz N-Ch
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 80
Mult.: 80

N-Channel Si 1 mA 200 V 250 MHz 24.6 dB 1 kW - 65 C + 150 C SMD/SMT STAC244F Bulk