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NVHL027N65S3F

Name: onsemi NVHL027N65S3F
Brand: onsemi
SKU: 863-NVHL027N65S3F
Price: 26.91 USD
Availability: InStock

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Mouser N.º:

863-NVHL027N65S3F

Fabricante N.º:

NVHL027N65S3F

Fabricante:

onsemi

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SUPERFET3 650V TO247 PKG

Hoja de datos:

NVHL027N65S3F Hoja de datos

Modelo ECAD:

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	onsemi
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
REACH - SVHC:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	Through Hole
Paquete / Cubierta:	TO-247-3
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	650 V
Id - Corriente de drenaje continua:	75 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	27.4 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 30 V, 30 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	3 V
Qg - Carga de puerta:	227 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	595 W
Modo canal:	Enhancement
Calificación:	AEC-Q101
Nombre comercial:	SuperFET III
Empaquetado:	Tube
Marca:	onsemi
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	42 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	57 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	59 ns
Serie:	SuperFET3
Cantidad de empaque de fábrica:	30
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	147 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	46 ns
Peso de la unidad:	6 g

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Hoja de datos

NVHL027N65S3F Hoja de datos

PCN

Códigos de cumplimiento

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

Clasificaciones de origen

País de origen:: República de Corea
País de origen del ensamblaje:: China
País de difusión:: República de Corea

El país está sujeto a cambios en el momento del envío.

NVHL027N65S3F 650V 75A SUPERFET® III Power MOSFET

onsemi NVHL027N65S3F 650V 75A SUPERFET^® III Power MOSFET is a high-voltage AEC-Q101 qualified Super-Junction (SJ) MOSFET utilizing Charge Balance technology for outstanding low on-resistance and low gate charge performance. Charge Balance technology minimizes conduction loss, providing superior switching performance and enabling the ability to withstand extreme dV/dt rates. The NVHL027N65S3F SUPERFET III MOSFET is ideal for power systems requiring miniaturization and high efficiency. The NVHL027N65S3F also features optimized reverse recovery body diode performance, resulting in fewer required additional components and improved system reliability.

SuperFET® III MOSFETs

onsemi SuperFET® III MOSFETs are high voltage Super-Junction (SJ) N-Channel MOSFETs designed to meet the high power density, system efficiency, and exceptional reliability requirements of telecom, server, electric vehicle (EV) charger and solar products. These devices combine best-in-class reliability, low EMI, excellent efficiency, and superior thermal performance to make them an ideal choice for high-performance applications. Complementing their performance characteristics, the broad range of package options offered by onsemi SuperFET III MOSFETs gives product designers high flexibility, particularly with size-constrained designs.