RF4L070BGTCR

ROHM Semiconductor
755-RF4L070BGTCR
RF4L070BGTCR

Fabricante:

Descripción:
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DFN2020 N-CH 60V 7A

Modelo ECAD:
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Cantidad Precio unitario
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$0.744 $74.40
$0.581 $290.50
$0.529 $529.00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)
$0.454 $1,362.00
$0.428 $2,568.00
$0.404 $3,636.00
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Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
ROHM Semiconductor
Categoría de producto: Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:  
Si
SMD/SMT
DFN-2020-8
N-Channel
1 Channel
60 V
7 A
27 mOhms
- 20 V, 20 V
2.5 V
7.6 nC
- 55 C
+ 150 C
2 W
Enhancement
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marca: ROHM Semiconductor
Configuración: Single
Tiempo de caída: 4.4 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.: 2.5 S
Tipo de producto: MOSFETs
Tiempo de subida: 5.7 ns
Cantidad de empaque de fábrica: 3000
Subcategoría: Transistors
Tipo de transistor: 1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico: 21 ns
Tiempo típico de demora de encendido: 8.7 ns
Alias de las piezas n.º: RF4L070BG
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Atributos seleccionados: 0

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MXHTS:
8541299900
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
ECCN:
EAR99

RF4L070BG N-Channel Power MOSFET

ROHM Semiconductor RF4L070BG N-Channel Power MOSFET is a 60.0V, 7.0A MOSFET featuring a low 27.0mΩ on-resistance, making it ideal for switching applications. The RF4L070BG has a 25.0ns (typical) reverse recovery time and a 22.0nC (typical) reverse recovery charge. Power dissipation for the device is 2.0W, and it features a wide -55℃ to +150℃ operating junction and storage temperature range.

Electronic Vehicle (EV) Solutions

ROHM Semiconductor Electronic Vehicle (EV) Solutions are designed to improve efficiency and performance in state-of-the-art EVs. ROHM offers products optimized for various solutions, with a focus on dedicated EV blocks, such as the main inverter, DC-DC converter, onboard charger, and electric compressor.