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GP2T080A120U

Name: SemiQ GP2T080A120U
Brand: SemiQ
SKU: 148-GP2T080A120U
Price: 10.04 USD
Availability: InStock

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Mouser N.º:

148-GP2T080A120U

Fabricante N.º:

GP2T080A120U

Fabricante:

SemiQ

Descripción:

MOSFETs de SiC

Hoja de datos:

GP2T080A120U Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	SemiQ
Categoría de producto:	MOSFETs de SiC
RoHS:
REACH - SVHC:
Estilo de montaje:	Through Hole
Paquete / Cubierta:	TO-247-3
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	1.2 kV
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	80 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 5 V, + 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	2.8 V
Qg - Carga de puerta:	58 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Dp - Disipación de potencia :	188 W
Modo canal:	Enhancement
Marca:	SemiQ
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	10 ns
Empaquetado:	Tube
Tipo de producto:	SiC MOSFETS
Tiempo de subida:	6 ns
Serie:	GP2T080A120U
Cantidad de empaque de fábrica:	30
Subcategoría:	Transistors
Tecnología:	SiC
Tiempo de retardo de apagado típico:	16 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	10 ns

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Hoja de datos

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PCN

Product Change Notification (PDF)

Códigos de cumplimiento

MXHTS:: 8541299900
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

Clasificaciones de origen

País de origen:: Filipinas
País de origen del ensamblaje:: No disponible
País de difusión:: No disponible

El país está sujeto a cambios en el momento del envío.

GP2T080A120U 1200V SiC N-Channel MOSFET

SemiQ GP2T080A120U 1200V SiC N-Channel MOSFET offers low capacitance and high system efficiency. This MOSFET features high-speed switching, increased power density, reduced heat-sink size, and a reliable body diode. The GP2T080A120U 1200V SiC N-Channel MOSFET parts are tested to above 1400V and avalanche tested to 200mJ. This MOSFET can be used in the applications such as solar inverters, EV charging stations, induction heating and welding, and motor drivers.