Trench8 MOSFETs

onsemi Trench8 MOSFETs feature low maximum ON-resistance (RDS(ON), ultra-low gate charge (Qg), and low (Qg) x RDS(ON), a key figure of merit (FOM) for MOSFETs used in power conversion applications. Featuring optimized switching performance based on T6 technology, the Trench8 MOSFETs offer a 35% to 40% reduction in Qg and Qoss from the Trench6 series. The onsemi Trench8 MOSFETs are available in a wide range of package types for design flexibility. AEC-Q101 Qualified and PPAP capable options are available for automotive applications. Many of these devices are offered in flank-wettable packages enabling automated optical inspection (AOI).

Resultados: 103
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor Número de canales Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Id - Corriente de drenaje continua Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Vgs - Tensión entre puerta y fuente Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente Qg - Carga de puerta Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Dp - Disipación de potencia Modo canal Calificación Nombre comercial Empaquetado
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V SG SO-8FL-U 1,430En existencias
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Si SMD/SMT SO-8FL-4 N-Channel 1 Channel 80 V 64 A 9.4 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 16 nC - 55 C + 175 C 73 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V LL SO8FL 2,351En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1,500

Si SMD/SMT SO-8FL-4 N-Channel 1 Channel 80 V 42 A 13.1 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 17 nC - 55 C + 175 C 54 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V LL SO8FL 104En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1,500

Si SMD/SMT SO-8FL-4 N-Channel 1 Channel 80 V 30 A 19.5 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 12 nC - 55 C + 175 C 42 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V LL SO8FL 885En existencias
Min.: 1
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Si SMD/SMT SO-8FL-4 Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V SO8FL 978En existencias
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Carrete: 1,500

Si SMD/SMT SO-8FL-4 N-Channel 1 Channel 80 V 23 A 32 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 6.9 nC - 55 C + 175 C 33 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V SO8FL 1,754En existencias
Min.: 1
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Carrete: 1,500

Si SMD/SMT SO-8FL-4 N-Channel 1 Channel 80 V 23 A 32 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 6.9 nC - 55 C + 175 C 33 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TRENCH 8 80V NFET 2,822En existencias
Min.: 1
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Carrete: 1,500

Si SMD/SMT WDFN-8 N-Channel 1 Channel 80 V 68 A 9.5 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 19 nC - 55 C + 175 C 107 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V LL U8FL 1,497En existencias
Min.: 1
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Carrete: 1,500

Si SMD/SMT WDFN-8 N-Channel 1 Channel 80 V 44 A 14.5 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 13 nC - 55 C + 175 C 68 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TRENCH 8 80V NFET 2,999En existencias
Min.: 1
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Carrete: 1,500

Si SMD/SMT WDFN-8 N-Channel 1 Channel 80 V 48 A 14.5 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 13 nC - 55 C + 175 C 68 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TRENCH 8 80V NFET 5,788En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1,500

Si SMD/SMT WDFN-8 N-Channel 1 Channel 80 V 33 A 21.1 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 8.7 nC - 55 C + 175 C 46 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V U8FL 1,711En existencias
3,000Se espera el 23/02/2026
Min.: 1
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Carrete: 1,500

Si SMD/SMT WDFN-8 N-Channel 1 Channel 80 V 22 A 32 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 6.9 nC - 55 C + 175 C 31 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V LL U8FL 4,340En existencias
Min.: 1
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Carrete: 1,500

Si SMD/SMT WDFN-8 N-Channel 1 Channel 80 V 14 A 50 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 6 nC - 55 C + 175 C 23 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V LL U8FL 1,480En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1,500

Si SMD/SMT WDFN-8 Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V U8FL 1,484En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1,500

Si SMD/SMT WDFN-8 N-Channel 1 Channel 80 V 13 A 55 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 4.7 nC - 55 C + 175 C 18 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V U8FL 483En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1,500
Si SMD/SMT WDFN-8 N-Channel 1 Channel 80 V 13 A 55 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 4.7 nC - 55 C + 175 C 18 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 60V LOW COSS 1,495En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1,500

Si SO-8FL-4 Reel, Cut Tape
onsemi NVTFS6H860NLWFTAG
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V LL U8FL 2,893En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1,500

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 80 V 30 A 20 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 12 nC - 55 C + 175 C 42 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V T8 IN U8FL HEFET 2En existencias
4,500Se espera el 10/08/2026
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1,500

Si SMD/SMT WDFN-8 N-Channel 1 Channel 60 V 78 A 5.2 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 22.5 nC - 55 C + 150 C 63 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TRENCH 8 80V NFET
3,000Se espera el 03/04/2026
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1,500

Si SMD/SMT SO-8FL-4 N-Channel 1 Channel 80 V 157 A 2.8 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 64 nC - 55 C + 175 C 166 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V LL U8FL
2,500Se espera el 23/02/2026
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1,500
Si SMD/SMT WDFN-8 N-Channel 1 Channel 80 V 64 A 8.6 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 26 nC - 55 C + 175 C 73 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 40V LOW COSS 5,000Existencias en fábrica disponibles
Min.: 5,000
Mult.: 5,000
Carrete: 5,000
Si SMD/SMT SO-8FL Reel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 60V LOW COSS 5,000Existencias en fábrica disponibles
Min.: 5,000
Mult.: 5,000
Carrete: 5,000
Si SMD/SMT SO-8FL Reel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V SO8FL 15,000Existencias en fábrica disponibles
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1,500
Si SMD/SMT SO-8FL-4 N-Channel 1 Channel 80 V 80 A 6.7 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 25 nC - 55 C + 175 C 89 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TRENCH 8 80V NFET 42,000Existencias en fábrica disponibles
Min.: 1,500
Mult.: 1,500
Carrete: 1,500
Si SMD/SMT SO-8FL-4 N-Channel 1 Channel 80 V 43 A 14.2 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 13 nC - 55 C + 175 C 54 W Enhancement AEC-Q101 Reel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TRENCH 8 80V NFET 21,000Existencias en fábrica disponibles
Min.: 1,500
Mult.: 1,500
Carrete: 1,500
Si SMD/SMT SO-8FL-4 N-Channel 1 Channel 80 V 32 A 20.7 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 8.9 nC - 55 C + 175 C 42 W Enhancement AEC-Q101 Reel