MOSFET de canal N SiC de 1200 V SICW0x

Los MOSFET de canal N SiC de 1200 V SICW0x de Micro Commercial Components (MCC) amplifican el rendimiento en paquetes versátiles TO-247-4, TO-247-4L y TO-247AB. Estos MOSFET cuentan con alta velocidad de conmutación con baja carga de puerta, flexibilidad de diseño y confiabilidad. Los MOSFET SiC de 1200 V SICW0x incluyen un amplio rango de resistencia de encendido típico de 21 mΩ a 120 mΩ y un rendimiento confiable. Estos MOSFET SiC ofrecen propiedades térmicas superiores y un diodo intrínseco rápido para garantizar un funcionamiento suave y eficiente en condiciones difíciles. Los MOSFET SiC SICW0x están disponibles en configuraciones de 3 pines y 4 pines (fuente Kelvin). Las aplicaciones típicas incluyen controladores de motores, equipos de soldadura, fuentes de alimentación, sistemas de energía renovable, infraestructura de carga, sistemas en la nube y suministro de energía ininterrumpible (UPS).

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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Micro Commercial Components (MCC) MOSFETs de SiC SiC MOSFET,TO-247AB
Hoja de datos
357En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247AB-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 86 A 45 mOhms - 10 V, + 25 V 3 V 305 nC - 55 C + 175 C 375 W Enhancement
Micro Commercial Components (MCC) MOSFETs de SiC SiC MOSFET,TO-247-4
Hoja de datos
359En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 86 A 45 mOhms - 10 V, + 25 V 3 V 305 nC - 55 C + 175 C 375 W Enhancement
Micro Commercial Components (MCC) MOSFETs de SiC SiC MOSFET,TO-247AB
Hoja de datos
340En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247AB-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 62 A 75 mOhms - 10 V, + 25 V 2.7 V 229 nC - 55 C + 175 C 326 W Enhancement
Micro Commercial Components (MCC) MOSFETs de SiC SiC MOSFET,TO-247-4
Hoja de datos
360En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 62 A 75 mOhms - 10 V, + 25 V 2.7 V 229 nC - 55 C + 175 C 326 W Enhancement
Micro Commercial Components (MCC) MOSFETs de SiC SiC MOSFET,TO-247AB
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 24 Semanas
Min.: 1,800
Mult.: 1,800
Through Hole TO-247AB-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 100 A 33.6 mOhms - 10 V, + 22 V 3 V 200 nC - 55 C + 175 C 469 W Enhancement
Micro Commercial Components (MCC) MOSFETs de SiC SiC MOSFET,TO-247-4L
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 24 Semanas
Min.: 1,800
Mult.: 1,800
Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 100 A 33.6 mOhms - 10 V, + 22 V 3 V 200 nC - 55 C + 175 C 469 W Enhancement
Micro Commercial Components (MCC) MOSFETs de SiC SiC MOSFET,TO-247AB
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas
Min.: 1,800
Mult.: 1,800
Through Hole TO-247AB-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 33 A 134 mOhms - 10 V, + 25 V 3 V 131 nC - 55 C + 175 C 224 W Enhancement
Micro Commercial Components (MCC) MOSFETs de SiC SiC MOSFET,TO-247-4
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas
Min.: 1,800
Mult.: 1,800
Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 33 A 134 mOhms - 10 V, + 25 V 3 V 131 nC - 55 C + 175 C 224 W Enhancement
Micro Commercial Components (MCC) MOSFETs de SiC SiC MOSFET,TO-247AB
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas
Min.: 1,800
Mult.: 1,800
Through Hole TO-247AB-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 24 A 200 mOhms - 10 V, + 25 V 2.95 V 67 nC - 55 C + 175 C 166 W Enhancement
Micro Commercial Components (MCC) MOSFETs de SiC SiC MOSFET,TO-247-4
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas
Min.: 1,800
Mult.: 1,800
Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 24 A 200 mOhms - 10 V, + 25 V 2.95 V 67 nC - 55 C + 175 C 166 W Enhancement